铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响.pdfVIP

鼻于奔基本辛 斟 200B年增刊(37)卷 铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响‘ 王胜利，武晓玲，刘玉岭，贾小欣 30) (河北工业大学微电子研究所，天津8001 摘要： 采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶 在不降低表面质量的前提下，通过选择合适的CMP 片进行化学机械抛光研究，讨论了抛光压力、转速、流 工艺参数以达到最优化的去除率。 速等工艺参数对材料去除率的影响。结果表明，铌酸 2实验 锂晶片化学机械抛光去除率与抛光I艺参数有着密切 的关系。不降低表面质量，在抛光压力为140kPa，抛 本文采用siO。胶体碱性抛光液，实验中抛光液的 光液流速为180ml／min，抛光转速为60r／min时，可以 配方为：硅溶胶、无机碱、去离子水及表面活性剂等，通 得到较高的铌酸锂晶片抛光去除率和表面抛光效果。 过合理配比，使这种抛光液具有很好的流动性和悬浮 关键词：铌酸锂；化学机械抛光；去除率 性。本实验在C6382I—W／YJ抛光机上进行。用抛光 中图分类号：TM225 文献标识码：A 机自带的测厚仪检测抛光前后铌酸锂晶片厚度，晶片 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0070—02抛光前后的厚度差值与所用的抛光时间之比即为去除 率。在同一台抛光机上，根据实验设置不同的抛光工 1 引 言 艺参数对铌酸锂晶片进行抛光，研究抛光过程中不同 铌酸锂晶体(分子式LlNbOs，简称LN)是～种具的工艺参数对铌酸锂晶片去除率的影响。 有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性 3分析与讨论 质的功能材料，是目前公认为光电子时代的“光学硅” 的主要候选材料之_[“，它在超声器件、光开关、光通 3．1抛光压力对材料去除率的影响 讯调制器、二次谐波发生和光参量振荡器等方面获得 抛光压力是化学机械抛光工艺中的一个重要的参 广泛应用。 数。实验表明，抛光过程中过高的压力是产生表面缺 铌酸锂晶片的加工质量和精度直接影响其器件的 陷、划伤、弹性形变和应力损伤等表面缺陷的主要来 性能，因此，铌酸锂的应用要求晶片表面超光滑、无缺 源，所以选择合理的抛光压力是非常关键的。 陷、无变质层。目前，有关铌酸锂晶片的加工特性及其 超光滑表面加工技术的研究较少，铌酸锂产品的开发 和应用因此受到制约。因此，开展铌酸锂晶片超光滑 无损伤表面抛光加工技术研究，对于开发大直径锯酸 锂晶片，进一步提高硬脆材料精密与超精密加工水平， 促进我国光电子产业的发展有着深远的意义。 mechanical 化学机械抛光(chemical polishing，简 Pressure．／kPa 称CMP)技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，它 图1抛光压力对去除率的影响 借助超微粒子的研磨作用以及抛光液的化学腐蚀作用 1Effectof onremovalrate 在被研磨的介质表面上形成光洁平坦表面”“1。CMP Fig pressure 在抛光液、抛光垫和其他抛光工艺参数相同条件 技