铸造多晶硅材料的少子寿命研究.pdfVIP

·110· 中国太阳能光伏进展 铸造多晶硅材料的少子寿命研究 朱鑫杨德仁邓海席珍强 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 【摘要】 铸造多晶硅材料原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布，对应于硅锭体 内杂质和缺陷的分布规律。硅锭底部的高浓度氧、Fe杂质及其相关的高密度微 缺陷导致该区域少子寿命偏低；而顶部高浓度的碳、Fe及其相关的高密度微缺 陷，尤其是高密度位错致使其少子寿命偏低。硅锭中部的杂质浓度偏低，微缺 陷较少，可以直接作为优良的太阳电池基体材料。 ． 【关键词】 多晶硅太阳电池少子寿命杂质缺陷 of lifetimeincast silicon Investigationminority multi-crystalline ZhuXin Deren HalXi Yang Deng Zhenqiang Statelabofsiliconmaterial key science，ZhejiangUniversity，Hangzhou310027，China O引言 铸造多晶硅材料已经取代了直拉单晶硅材料成为最主要的太阳电池原材料。硅材料的性 能主要受杂质和缺陷的影响，常见的有害杂质元素有氧，碳和过渡族金属铁等。认清铸造多 晶硅原生材料不同部位的性质特点，对于提高材料使用效率，改善多晶硅太阳电池效率具有 十分重要的意义。 本文在考察硅锭少子寿命分布规律的基础上，结合体内微缺陷密度，位错密度，分析了 、铸锭底部、中部和顶部样品影响少子寿命的主要因素。 1实验 多晶硅铸锭中心贯穿底部和顶部纵向取样。对硅锭进行分割、化学抛光，用微波光电导 的氧、碳含量。并在底部、中部和顶部选取样品进行体内微缺陷扫描(SIRM)以及缺陷腐蚀 分析。 晶体硅太阳电池及材料．111． 2结果和分析 图l显示了晶锭的原生少子寿命分布。从图中可以看出，硅锭底部和顶部都存在着低寿 命区域，硅锭中间部分少子寿命值较高且分布均匀。在底部低寿命区内还存在一个夹层，少 。 子寿命相对周围有所上升。 一 X1017 硅锭中氧浓度的范围为O．8～7．8 C111～。底部氧浓度最高，氧浓度从硅锭底部到顶 部呈逐渐降低的趋势。而碳浓度由硅锭底部向上不断增大，最高浓度不超过6×t016cm一， 远小于形成碳化硅沉淀的临界浓度8×10…7cm～，碳不会形成沉淀，对少子寿命影响不大。 掺B硅中的Fe浓度可通过打散FeB对前后的寿命变化来计算【l】。图2显示了晶锭底部 到顶部的间隙Fe浓度分布。可以看出，底部和顶部浓度较高，浓度量级约为10”cm～，中 C111-1。 部Fe浓度分布较为均匀，其浓度均低于5×1014 ‘sTo 箩 毫 芑 oE一苗-11 匿 0 20 ∞ ∞ ∞ 100 Distancefrom Distancefrom