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參考文獻 張俊廖主編，《積體電路製程及設備技術手冊》，121~240，1997。 刁建成編譯，《USL製程技術》，3-1~7-31，2000。 任克川，《離子佈值機簡介(一)》，電子月刊第一卷第三期，170~180，1995 任克川， 《離子佈值機簡介(二)》，電子月刊第一卷第四期，150~159，1995 C. Y. Chang and S. M. Sze , ULSI Technology,McGraw – Hill, N. Y. ,1996 工作分配 書面資料製作:張紹琼、蘇可欣 協助資料提供:陳佑任 PPT進程製作:廖書銘、王紀評 上台報告:陳晉緯 * * * * 擴散製造工程 摘要 本章分為三個部份， 第一部份前言介紹擴散製程在晶圓製造中所扮演的角色。 第二部份是介紹擴散製程相關的名詞解釋。 第三部份則是敘述清洗、爐管、離子植入等各類製程及設備。 6-1緒論 擴散製造工程大致分為離子植入、爐管熱氧化物生長、各類薄膜沉積及晶圓清洗製程。 擴散(Diffusion)是指離子、原子或分子由高濃度往低濃度區域 運動的現象。 圖6.1擴散示意圖 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 高溫爐管之熱製程除了用在離子植入後之井區驅入擴散外，熱氧化物生長製程是矽積體電路最易取得之介電薄膜，其他低壓爐管製程則是藉由化學氣