微电子第二章 半导体物理及器件物理基础.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 下图显示当施主浓度ND＝1015cm－3时，硅的电子浓度对温度的函数关系图。 在低温时，晶体中的热能不足以电离所有存在的施主杂质。有些电子被冻结在施主能级中，因此电子浓度小于施主浓度。当温度上升时，完全电离的情形即可达到(即nn＝ND)。当温度继续上升时，电子浓度基本上在一段长的温度范围内维持定值，此为非本征区。然而，当温度进一步上升，达到某一值，此时本征载流子浓度可与施主浓度相比，超过此温度后，半导体便为本征的。半导体变成本征时的温度由杂质浓度及禁带宽度值决定。 电子浓度n/cm-3 非简并半导体及其载流子浓度 简并(degenerate)半导体：对于高掺杂的n型或p型半导体，EF将高于EC，或低于EV。此种半导体称为简并半导体。 对于简并半导体，由于掺杂浓度等于或高于相对的有效态密度，我们不能再使用式 作数值积分。 的近似值，而需对式 （E－EF）＞3kT （E－EF）＜3kT 简并半导体 关于高掺杂的另一个重点是禁带宽度变窄效应（bandgap narrowing effect），即高杂质浓度造成禁带宽度变小。室温下硅的禁带宽度减小值ΔEg为 例如，当ND≤1018cm－3时，ΔEg≤0.022eV，这小于原来禁带宽度值的2%。然而，当