微电子工艺之刻蚀技术.pptVIP

第五章 刻蚀技术（图形转移） 定义：用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌并，不是真正的器件结构。因此，需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。 VLSI对图形转移的要求：保真度；选择比；均匀性；清洁度。 保真度A：A=1－|df－ dm| / 2h＝1－Vl/Vv， Vl—侧向腐蚀速率，Vv– 纵向腐蚀速率； A=0,各向同性刻蚀; A=1, 理想的各向异性刻蚀; 1A0 ，实际的各向异性刻蚀 第五章 刻蚀技术（图形转移） 选择比 如SiO2的刻蚀中，对光刻胶和硅的腐蚀速率要很低，对SiO2的腐蚀速率要很高。 第五章 刻蚀技术（图形转移） 第五章 刻蚀技术（图形转移） 均匀性：膜层厚度的不均匀与刻蚀速率的不均匀→ 图形转移尺寸的不均匀。 设：平均膜厚h，厚度变化因子δ， 0≤ δ ≤1； 则：最厚处为h（1+δ），最薄处h（1-δ）； 设：平均刻蚀速率v，速度变化因子ζ， 0≤ ζ ≤1； 则：最大为v(1+ζ)，最小为v(1-ζ)； 设：最厚处用最小刻速腐蚀, 时间为tM； 最薄处用最大刻速腐蚀, 时间为tm； 则: t M=h(1+δ)/v(1-ζ)，t m= h(1-δ)/v(1+ζ) 若腐蚀时间取tm