微电子工艺原理--第6讲-薄膜工艺化学气相淀积.pptVIP

第六讲 薄膜工艺 之化学汽相淀积;化学气相沉积合成方法发展;化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。 作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着重于刀具涂层的应用。 从20世纪60～70年代以来由于半导体和集成电路技术发展和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。 ;CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料—超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等Ⅲ～Ⅴ旋半导体和Ⅱ～Ⅵ旋半导体单晶外延的基本生产方法。 在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。 在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮??镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。;早期nMOS晶体管的各层膜;CVD技术的基本要求;CVD技术的特点;（3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 （4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。 （5）CVD工艺是在较低