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Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响.PDF

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Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 .% % ##. % , , , WA+ 3.% VA 3% 1X2-+ ##. ( ) !###S9’#I##.I.% #% I !89S#% 1*U1 /=,R*1 ,RVR*1 ##. *?-5 3 /?F 3 ,AJ 3 ! 环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米#$ 晶粒平均尺寸的影响! !) !) !) !) ) 王英龙 周 阳 褚立志 傅广生 彭英才 !)(河北大学物理科学与技术学院,保定 #$!## ) )(河北大学电子信息工程学院,保定 #$!## ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ##% ! ##% ’ 采用 脉冲准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶 靶,在 — 的 气环境下沉积制备了纳米 薄膜 ()*+ ,- ! .## /0 12 ,- 3 4 射线衍射谱测量证实,纳米 晶粒已经形成 利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米 薄膜的表面形貌,结果表 ,- 3 ,- 明,随着环境气压的增加,所形成的纳米 晶粒的平均尺寸增大,气压为 时达到最大值 ,而后开始减 ,- !## /0 # 56 小3 从晶粒形成动力学角度,对实验结果进行了定性分析3 关键词:纳米 晶粒,脉冲激光烧蚀,表面形貌 ,- : , %! !% !.#7 本工作以 为环境气体,利用 方法,在 12 /;1 — 的 气环境下沉积制备纳米 薄膜;对 !: 引 言 ! .## /0 12 ,- 其微结构进行扫描电子显微镜( )分析,获得了 ,CD 纳米 晶粒的平均尺寸随 气压的变化关系 我们知道,纳米 晶粒具有明显的量子尺寸发 ,- 12

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