CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究.PDF

第卷第期 年月 ５９ ４ ２０１０ ４ 物　 理　 学　 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．４，Ａｐｒｉｌ，２０１０ １０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０４ ／２　６６１０５ （） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．  ＣＨＦ 双频电容耦合放电等离子体特性研究３  胡佳徐轶君叶超 　 　 　 　 （苏州大学物理科学与技术学院，江苏省薄膜材料重点实验室，苏州 ） 　 ２１５００６ （２００８ 年９ 月２７ 日收到；２００９ 年６ 月２８ 日收到修改稿） 　 　 研究了用于ＳｉＣＯＨ 低介电常数薄膜刻蚀的ＣＨＦ 气体在１３５６ ＭＨｚ／ ２ ＭＨｚ，２７１２ ＭＨｚ／ ２ ＭＨｚ 和６０ ＭＨｚ／ ２ ３ ＭＨｚ双频电容耦合放电时的等离子体性质．发现２ ＭＨｚ低频源功率的增大主要导致Ｆ 基团密度的增大；而高频频 率从１３５６，２７１２ 增大到６０ ＭＨｚ，导致ＣＦ 基团的密度增大和电极之间Ｆ基团密度的轴向空间不均匀性增加．根 ２ 据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系，提出 基团的产生主要通过电子中性气体碰撞， ＣＦ  ２ 而基团的产生是离子中性气体碰撞的结果 Ｆ  ． 关键词： ＣＨＦ 双频电容耦合放电， 等离子体３ ＰＡＣＣ：５２８０Ｐ，８２３０ 来，采用高频或甚高频功率源控制等离子体的产 １ 引 言 生、采用低频功率源来调制到达被刻蚀薄膜表面粒 子能量的双频等离子体技术，正发展成为低材料ｋ ［ ，］ １０ １１ 微电子器件的快速发展使器件性能不断完善、 刻蚀的有力工具 为了实现等离子体密度和能． 量的独立调控，采用频率从 到 的各 ６５ ４５ ｎｍ １３５６ ５００ ＭＨｚ 器件集成度不断提高，正向— 以下线宽的 纳电子器件发展． 由于高性能芯片上器件尺寸减 种高频或甚高频功率源与频率从８００ ｋＨｚ 到２ ＭＨｚ