BOD在晶闸管过电压保护中的应用研究.PDF

BOD 在晶闸管过电压保护中的应用研究 蓝元良 汤广福 张 皎 金 钊~ ~ ~ (中国电力科学研究院 北京~ 1OOO85) 摘要 本文描述了: BOD 器件的物理结构及特性 论述了~ BOD 在晶闸管过电压保护 应用中的典型电路设计及参数选择原则 最后通过~ T R 工程具体实例 给出实验结~ 果O 关键词: BOD; 晶闸管 过电压保护; ; T R 中图分类号: 355; 8 4 文献标识码: 文章编号:1OO3-3O7 (ZOOO)O3-OO51-O4 TN TM A 保护 特别是在晶闸管的串联应用中~ O 1 前言 2 BOD 的物理结构及特性 随着电力电子技术的发展 特别是电力~ 电子器件的发展 在工业和商业应用中 半控~ ~ 2.1 物理结构 型器件如晶闸管逐渐被全控型器件如GTO~ BOD 的英文名称为击穿二极管 其实它~ IGBT MOSFET~ 等器件所取代 并朝着大功~ 是一种具有四层结构的晶闸管 其剖面结构~ 率与智能化方向发展 但现阶段 在高电压O ~ ~ 示意图见图1OBOD 被击穿而完全导通 整个~ [1] - 大电流应用领域中 如~ HVD ~高压SV 等~ 过程大约3~5ps O 由于在阴极采用了 扩p 散的短路发射极结构 因而获得很高的~ dU/ 晶闸管仍然占有一席之地 尤其是采用晶闸O dtO但由于其非对称结构 反向耐压低 一般~ ~ 管技术的电力电子设备还没有真正退出历史 低于1O O V 舞台之前 如何使这些设备继续稳定可靠运~ 2.2 BOD 特性[Z] 行 仍具有很大的经济效益 在应用中 由于~ O ~ (1)伏安特性 电力电子器件其固有的脆弱性 单靠增加器~ BOD 的伏安特性如图 所示 阳极和阴Z ~ 件的设计裕度来增加整个设备的可靠性是一 极所加电压达到 UBO 时~BOD 被击穿而导 种不经济亦无必要的措施O一般做法是采用 通 典型转折 电流~ I 为1~5 ~ 当流过 BO mA 各种保护措施来充分利用器件的容量OBOD 的电流低于维持电流 (典型5O ) BOD IH mA (Break Over Diode)作为晶闸管的过电压保 时~BOD 恢复关断O 护器件 由于其快速性 只要保护电路设计参~ ~