ZnO薄膜的室温荧光光谱PL研讨.pdfVIP

2000年l0月 ·广西 ·北海 第七届全国固休薄膜学术会议 ZnO薄膜的室温荧光光谱 (PL)研究 叶志镇 ，陈汉鸿，刘榕，张昊翔，赵炳辉 (材澎国家重袁穷毅室，葫江大学尹扰卿, 摘要 利用直流磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了c轴择优取向一致的ZnO薄膜，在室 温下对薄膜进行了PL谱和XRD测试，ZnO薄膜的PL谱上的本征紫外光发射 (uv)出现 分峰现象，并伴有较宽的绿光发射峰，XRD谱表明衬底温度对Zn0薄膜的光学性能有很 大的影响，ZnO晶粒与晶粒间的晶界应力与UV分峰现象有关，而ZnO薄膜的点缺陷影 响薄膜的绿光发射峰。 关镇词 ZnO薄膜，Si(111对底，磁控x射法，紫外光发射， 1.引育 近年来，由于蓝光、紫外光等短波光学器件的巨大潜在应用，直接宽带半导体材料的 研究越来越受到人们的重视，目前GaN是研究得最为充分的宽带半导体材料，基于GaN的 蓝色激光二极管已经实现商品化n1ZnO是另一种很有应用前景的直接宽带半导体材料， 其晶体结构和光学性能与GaN非常相近z【31.ZnO中的氧原子易形成氧空位而使薄膜呈N 型，不易得到P型薄膜，因而限制了ZnO薄膜的应用，最近有报道在zoo薄膜中共掺杂 Ga和N，可实现ZnO薄膜的转型U，但与GaN相比，Zn。具有制备简单、沉积沮度低、 激子能量高 (60mev)和较低的电子诱生缺陷等优点3[1，因而特另111!8合于空间应用。 文献关于ZnO薄膜光学性能的报道一般都基于蓝宝石衬底上的ZnO薄膜c’、6]，如果 能够在硅衬底上生长薄膜，将光学器件与传统的硅平面工艺相结合，具有很重要的意义， 目前在硅衬底上生长GaN薄膜的研究正在进行中1[71。有文献研究了直流溅射法制备的硅衬 底上的Zn0薄膜退火后的阴极射线荧光光谱，其PL谱上出现两个展宽峰，分别处于紫外 波段和绿光波段v。对znO薄膜光学性能的研究，一般用MBE151，PLD161，和MOCVDI] 等薄膜制备方法，与这些方法相比，磁控溅射具有设备简单，成本低和沉积速率快等优点。 本文对在((III)Si上用直流磁控反应溅射法制备的ZnO的光学性能进行了研究。 2 买骏 本实验用直流磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜，用高纯氧气 (99.99%)和氢气 (99.99%)作为溅射气体，纯度为99.99%的金属锌为靶材，衬底为P型单面抛光 (111) 硅片。溅射前硅片用改进的RCA方法清洗，用机械泵和扩散泵组成二级抽气系统，溅射本 底真空度为P-xa0,51; 溅射功率为150W 溅射气压为3-5Pa,Ar和Ox的分压比为4:1。用 XRD和室温PL谱对原位沉积的ZnO薄膜进行了分析。PL谱的激发源为He-Cd激光器， 激发波长325nm.功率25mW。用1P28光放大器收集后，经StanfordResearchSR830DSP 锁相放大器放大。XRD用铜凡为射线源，波长为0.1542nm. 2仪刃年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 越 位 誉 侧 拳 圳 l 灿 汉 l 件 创 l 介 共 ) . 翻 l 忍 ， 仁 心 1 弓 胭 创 / 子 1 了 e s e s . l - 包 者 . ” 翻 了 四 。 、~少气入 20 2日 3O 白姗创 (创1 曰洲口 (妇的 图1一不同衬底温度下2滋0的室温PL谱 a)(195℃，山)639℃ 图1为不同衬底温度下劝。薄膜的室温PL谱。在图a)(上出现了三个接近zno禁带 宽度对应于紫外 (UV)波长的峰。许多文献报道2h0薄膜的室温PL光谱上只出现一个Uv 峰，其能量为3一3ve.sl队‘，而在低温下，PL谱上的近带边峰非常复杂，通常出现三个蜂， 与图l