TH4新材料的开发和应用研究.pdfVIP

TH4新材料的开发和应用 赵杰红，金辉，顾张新 (天通控股磁业有限公司，浙江海宁314412) 摘要：采用传统氧化物工艺制备锰锌铁氧体，通过对Nb205一CaO复合掺杂的研究， 显微结果表明，添加适量的CaO、Nb205粉末，可以促进材料晶粒的均匀长大，测试分析 表明，添加适量的CaO、Nb205粉末，可以降低材料的损耗和提高产品的应用频率．TH4 材料主要以EP、RM型产品，用于xDSL中的信号转换器． ． 关键词： MnZll铁氧体；复合掺杂；显微结构；磁性能 1 引言 数字用户线路(DSL)技术是发展最快的宽带互联网接入技术之一，磁性器件主要应用 于POTS滤波器、隔离或匹配作用的宽带变压器、高通滤波器等。随着通讯技术的发展， 通讯领域的变压器和电感器中信号的传输速率加快，器件的尺寸逐渐减小，频率响应更宽， 型)，工作在较宽的频率范围，且要求输出信号谐波失真小、传输速率高，这就要求软磁 铁氧体材料和磁芯必须具有良好的p广-f特性、低磁滞常数n 材料是近几年来国内外铁氧体厂家研究的热门课题。 为适应市场需求，TDG成功开发了低谐波失真通讯变压器专用TH系列材料TH2 和II-110。TH4材料也是TH系列材料之一，它将成为我们今后市场开发的重点，其ui=4000 ±25％，rt B0．3×10一／mT，由它制成的通讯变压器具有低的总谐波失真度和高的信号传 输速率，本文将重点介绍TH4材料的开发过程和市场应用。 2实验方法 52．3：28．1：19．6，采用氧化物湿法工艺制备材料，具体工艺流程如图l所示。 工艺说明：将按组成配好的原料砂磨O．5h，使原料充分混合均匀，一次喷雾成型后 等添加剂，再二次砂磨1．5h，加入12wt％的聚乙烯醇(浓度10％)再次喷雾造粒后成型， 生坯在钟罩式气氛烧结炉致密化烧结，烧结温度在1360C，保温4h，氧分压3．5％，采用 平衡氧分压法降温冷却，如图2所示。 烧结温度、升降温速度、1‘衡瓴分脏控制■．．一 精密磨削 性能测试 图l MnZn铁氧体的制备工艺流程 mO 0 ^ 0 p V 栅 O h ， 0 一 ■ q O A E ■ 0 mⅢⅢ∞∞如柚 0 O 图2烧结曲线图 图3 EDAX扫描图谱 6／p 用HP4284A频谱测试仪测量材料磁谱特性(1l～f)、比损耗因子频率特性(tani～ f)、磁滞损耗系数温度特性(TlB～T)等。 f 、 3实验结果与分析 3．1显微结构 图4显示掺杂和未掺杂样品的显微结构，Nb205．CaO复合掺杂的结果表明，其能有 效地控制晶粒的长大，包括晶粒的大小和均匀性。经过测试，(a)样品在常温下的nB为 O．18×10—6／mT，(b)样品在常温下的IIB为0．67X10—6／mT，观察图3样品的EDAX扫描 构除了有明显的改善，相应材料的磁滞损耗系数(nB)也得到了控制。Ca2+半径较大，常富 于晶界，生成非晶质的中间相，从而增进晶界电阻，降低损耗，提高Q值；V20s在MnZn 铁氧体所起的作用为矿化作用，V205熔点较低，可与铁氧体形成低熔点化合物，因而有 助熔剂的作用，铁氧体中掺入V2晚后，会使多晶的机械强度增加，韧性变好，Nb205的 作用是在反应过程中抑制晶粒生长，并吞灭，高导中加入可提高其抗EMI性能【l】o 图4 样品的微观结构：(a)掺杂；(”未掺杂 墨 一工 ．口,-4 ≥ 嬲蝴一一心狮