Tilt3gtSiClt2gt陶瓷粉末的合成与无压烧结研究.pdfVIP

第31卷增刊 稀有金属材料与工程 Vol 31．Supp．1 2002年9月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING 2002 September Ti3SiC2陶瓷粉末的合成与无压烧结 Matsuki2，Yoshihiro Watanabe2 李敬锋1，Toshiro Takitani2，Ryuzo (1．清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京100084) (2日本东北大学大学院工学研究科材料加工专攻，仙台980-8579，日本) 摘要：本研究利用机械合金化(MA：Mechanical Alloying)和无压烧结相结合的工艺制备Ti3SiC2陶瓷。实验表明， 0．IMPa气压的Ar气中能烧结致密，于1 TiC第2相)。无压烧结Ti3sic2基陶瓷与热等静压烧结高纯度Ti3SiC2陶瓷相比，掰者的性能很接近。 关键词：Ti3SiC蕉机械合金化；粉末合成：无压烧结 5 中图法分类号：TB484 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2002)S1．0125—04 (容积l Ti3SiC2兼备金属和陶瓷的一些优良特性，受到材 料科学工作者的注目，近年来关于Ti3SiC2陶瓷的研 1 究十分活跃。大部分研究工作集中在Ti3siC2陶瓷(烧 结体)的制备和性能评价上，但是几乎所有的研究都 球，粉末与钢球的质量比为1：100。容器内充满高纯 是采用加压烧结(热压或热等静压)工艺通过化学反 应制备Ti3SiC2陶瓷【i叫，至今为止未见有关Ti3SiC2用湿式混粉方法，即用滚筒式球磨机，以酒精作溶液， 的无压烧结方面的报道。像其它陶瓷材料一样，无压 经100h球磨配制了非MA混合粉末。 烧结最适合于工业应用，如果能确立Ti3SiC2陶瓷的 利用压模和冷等静压将MA合成粉末压制成直径 无压烧结工艺，Ti3SiC2陶瓷的应用无疑会更具有潜 力。鉴于这一目的，近来我们开展有关Ti3SiC2陶瓷BN坩锅中，以15℃／min的升温速度在1100℃～1500℃ 的粉末合成和无压烧结工艺方面的研究。最新研究结 进行烧结，保温时间lh。烧结实验使用石墨发热体的 果表明，采用机械合金化(MA：Mechanical高温电气炉，保护气氛使用高纯Ar气体。 Alloying) 工艺对Ti3SiC2的组成元素粉末(Ti，Si，C)进行处理后 得到的混合粉体可以在较低的温度(约1500℃)烧 同条件处理后的粉末和烧结体进行x射线衍射 结致密，其相对密度可达98％。本文具体报道Ti3SiC2 陶瓷的MA粉末合成及其无压烧结的有关工艺，并对 所获得的无压烧结Ti3SiC2的显微结构和性能进行分及烧结过程中的相组成和显微结构的变化。烧结体的 析和评价。 验和维氏硬度计对烧结体的破坏强度和硬度进行了 1实验方法 评价。 实验选用市售的Ti粉(平均直径16um，纯度 2结果和讨论 u 99．6％)，Si粉(平均直径75m，纯度99．99％)，C 2．1粉末合成 粉(平均直径5um，纯度99．7％)