TiB4C反应界面和扩散路径的研讨.pdfVIP

《陶瓷工程增干0 1999年11月 55 T1/B4C反应界面和扩散路径的研究 程继红 曾照强 唐建新 胡晓清 苗赫灌 (清华大学材料科学与工程系 北京.100084 摘 要 利用扩散偶研究了过渡塑性相工艺(TPPP)中T/iB,C的界而反应和扩散路径。实验结果表明界面反应是由 B,C元素的扩散控制的 在 1200Ti-1700℃生成了TiCx,TiB,TiB,三相并逐渐分层。典型的扩散路径是在 16001保 温4小时 0一Ti/(Ci+TiC.+TV /(TiC.+TiB+TiB,)/(TtCx+TiB,1/TiB, 关健词 TPPP Ti/B.C 界面反应 扩散路径 引 言 Ti板板替代Ti颗粒，碳化硼烧结体替代碳化硼颗 粒组成扩散偶来模拟粉料之间的化学反应。其中Ti 复合高温陶瓷在许多科技领域都有着广泛的 板是利用TiH:粉料在A:气氛中，1100`C,25MPa 应用前景。但由于其制备温度高、产品致密度低等 条件下热压烧结的，B,C烧结体则通过酚醛树脂作 原因使其应用受到了限制 nio90年代以来，美国 为助烧剂，A:气氛条件下2200C无压烧结获得，按 DrexelUniveraity的M.W.Barsoum等人提出了WIT 照图2所示装炉。 反应层 法，用于制备Tic一Til32陶瓷复合材料’2一”，获得了 较高的强度和韧性。清华大学唐建新，陈英杰等用 TiH:代替Ti烧结后的产物中有明显的’rill,柱状品 体生成，且韧性更好、强度更高ta.l。此工艺的创新 之处在于借鉴了冶金过程中材料在塑性可变形条 件下成型而后再热处理强化这种技术，具有许多重 要的本质优点，，‘，如烧结温度低(大约只是原料相熔 点的0.6倍)，产物致密度达99%以上，原位合成增 图1Ti一B.C化学反应示愈图 强相，韧性高，不需使用助烧剂等。但他们均对Ti/ B,C反应机理尚未作详细研究。 上压头 本文拟用片状原料叠层设计成扩散偶代替混 套筒 合粉末烧结，研究Ti/C的界面反应和扩散路径， 垫 片 推导反应机理，以求在用TPPP法制备高致密度和 高机械强度的材料方面获得理论上的指导。 BC片 T}片 2 实验过程 已C片 在实验烧结过程中过渡塑性相工艺是通过粉 下 压头 料之间的化学反应进行的，如图]所示。由于颗粒 尺寸很小，反应很快进行完毕，很难直接观察反应 的中间过程。为了更好地观察反应的过程 ，以金属 图2 Ti/B4C扩散偶装示意图 ·56· 《陶瓷工程增刊》 1999年 11月 根据陈英杰等人的研究[61，Ti与B4C在90090 有出现Ti和B的新相，另外有非化学计童比化合物 时不发生反应， 因此选择 100090,120090, TiCx生成。在1600`0温度下仍只有TiCx,TiB,Ti% 150090,160090四个温变点进行界