TiO2电容压敏陶瓷掺杂研究进展研究.pdfVIP

盂凡明等：TiO。电容一压敏陶瓷掺杂研究进展 229 Ti02电容一压敏陶瓷掺杂研究进展。 盂凡明1，孙兆奇2 (1．安徽大学物理与材料科学学院，安徽合肥230030i 2．安徽大学信息材料与器件重点实验室，安徽合肥230039) 摘要： Ti02电容一压敏陶瓷非线性伏安特性和介式表示： 电性能优良，具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。 ，一(罟)。 ㈣ 本文综述了Ti嘎电容一压敏陶瓷性能以及施主杂质、 受主杂质、烧结助荆的研究现状，并对其进行了展望。 式中J为压敏电阻电流(A)；【，为施加电压(v)；。 关键词：TiO。电容一压敏陶瓷；压敏电压；非线性系 为非线性系数；C为非线性电阻值。 数；介电常数；烧结助剂 对上式两边取对数： 中图分类号：TN304；TN379文献标识码：A In／一alnV+alnC 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0229—03 两边微分： dI dV 1 引 言 丁。“可 即： TiO：电容一压敏陶瓷材料是20世纪80年代在国 外发展起来的“]，用其制作的元件等效于一个压敏电 。一(丁dl¨,／可dV)。一l丁／7I可7 阻与一个电容器并联，起到过电压保护和滤除噪声等 上式中Ot称为非线性系数。a越大，则电压增量所 作用。与SrTiO。压敏电阻器相比，它既不需要在高温- 引起的电流相对变化越大，压敏性越好。在临界电压 还原气氛中烧结，又省去了热氧化处理的过程，可以在 以下，。逐步减小，到电流很小的区域，。一l，表现为线 太气中～次烧成，这使其生产成本大大降低；与znO 性伏安特性，压敏电阻成为欧姆器件。对一定的材料 压敏电阻器相比，其压敏电压低，介电常数大。所以一 c为常数，由于精确测量C值非常困难，丽实际上呈现 经开发即受到国内外学者的广泛关注o““。研究TiOz 显著压敏性的电流J一0．1～lmA，因此常用一定电流 电容一压敏复合功能陶瓷材料具有广阔的发展前景。 时的电压u来表示压敏性能，称压敏电压值。如电流 TiO。本征介电常数(114)较大，取TiO。为主料可 为lmA时，相应的压敏电压用u。。n表示。TiO。电容一 保证材料的大电容特性。纯TiO。在室温下固有阻值 压敏陶瓷的压敏特性可用u，。。和a来表示。 大(10812)，加入施主添加剂(Nb。05、Ta。魄、Wq 等)可使TiO。材料半导化，降低TiOz材料的固有阻 值，对降低压敏电压、提高非线性系数和介电常数有 益。加入受主添加剂(SrCOa、BaCO。、Sb。O。等)有益 于提高非线性系数和介电常数。添加烧结助荆(SiOn Bi。O。等)可促使陶瓷晶粒均匀生长、减小性能分散 性、降低烧结温度。本文综述了TiO：电容一压敏陶瓷 的施主添加剂、受主添加剂以及烧结助剂的研究现状， 线 并对未来进行展望。