TMS320VC5502外扩FLASH的自举引导方法研究.pdfVIP

314第三届全国信息与电子工程学术会议、四川省电子学会曙光分会第十四届学术年会暨院青年科协第八届学术年会论文集 张彪。方方黄洪全黄秋丁卫撑 (成都理工大学核技术与自动化工程学院 四川 成都610059) 摘要本文阐述了基于TMS320VC5502外扩FLASH自引导的实现方法，给出了引导表的生 成过程、系统的硬件连接图以及FLASH的烧写步骤。本系统是以EMIF的并行引导方式进行自举的， FLASH的烧写为在线FLASH编程方法． 关键词1MS320VC5502自举引导 在线FLASH编程 1 引言 由于现今数字信号处理技术的快速发展，数字信号处理器的使用也日渐广泛。在DSP集成开发 环境中编写的应用程序经过软件仿真或者硬件仿真之后，都需要将该应用程序存储于非挥发性的存 芯片上拷贝到内部或者外部的RAM中运行。 FLASH的系统背景，详细介绍该系统自启动的硬 本文基于TMS320VC5502和SST39VF400A 件设计以及自启动引导表的编写方法。 2 BootLoader简介以及引导模式的选择 完成将外部的程序加载到片内RAM中运行，以提高程序的执行速度。 TMS320VC5502 中断寄存器和DSP状态寄存器，保证在引导装载用户程序时不会被中断，从而避免程序加载失败。由于 置，这些配置可以通过GPIO[2：0]弓[脚的高低电平实现。在片内ROM有效的情况下，有7种配置可供 选择来决定外扩存储器程序的引导方式。启动的模式有：SPI接口启动模式、串口启动模式、IIC接 启动模式。 本系统采用的是EMⅢ从外部16位的FLASH进行自引导。 3 TMS320VC5502外扩FLASH的自引导硬件连接方法 TMS320VC5502每次上电复位后，在执行完一系列的初始化工作后，根据事先配置的自举模式， ‘作者简介：张彪(1984．)，男，山西人，成都理工大学硕士研究生，从事测控技术与仪器研究． 第三届全国信息与电子工程学术会议、四川省电子学会曙光分会第十四届学术年会暨院青年科协第八届学术年会论文集 315 通过EMIF从外部的16位FLASH(并行模式)进行自 D[i5：0】 D[15：0】 举。 A[21：l】 A[21：1】 通过EMIF可以很灵活方便的实现和同步或异 CEl CE 步存储器的无缝对接。在EMIF的并行模式中，片内 BE【l：o】 BEll：0】 ARDY ROM的BootLoader的程序是以字地址0x200000为首 地址开始加载程序的。所以FLASH的片选端CE应该AOE AOE AWE A：W．E 与CEl相连接，以使其地址配置在DSP的CEl空间。 ARE ARE 在加载时，EMIF的CEl空间已经默认为异步静态随 机存储器(SRAM)接口，并且在时序上采用了最TM$320VC5502SST39VF400A 差情况(即其读写的等待时序最长)以使程序能够 图l 顺利地加载到片上。图l所示为TMS320VC5502与的硬件连接图 SST39VF400A的硬件连接图。 4引导表的生成 程序的入口地址、指定引导方式以及指定片内和片外存储器的位宽等等。程序的入口地址是应用程 序开始执行的地址值，引导方式是指定引导时所用是并行还是串行等方式。 应用程序的．out文件，引导表配置．cmd文件。 现在举例说明．cmd的生成方法： led．out 需要转换的链接文件名 -boot 转化成引导表的形式 -a 采用AS