集成电路关键面积研究方法的发展与挑战.PDFVIP

第 39 卷第 5 期 微 电 子 学 Vol39 , No . 5 2009 年 10 月 Micr oelect r onics Oct . 2009 集成电路关键面积研究方法的发展与挑战 张国霞 , 马佩军 , 张 　旭 , 郝 　跃 (西安电子科技大学 微电子学院 , 西安 7 1007 1) ( ) 摘 　要 : 　关键面积研究方法是集成电路可制造性 D FM 领域的重要研究内容 。对主流关键面积 研究方法进行了综述与分析 ,讨论了 Mont e Carlo 方法 、多边形算子方法 、Voro noi 图方法的优缺 点;对亚波长光刻阶段关键面积研究面临的挑战进行了分析与探讨 。 关键词 : 　集成电路 ; 关键面积 ; 关键面积提取 ; 深亚微米光刻 中图分类号 : TN40 1 文献标识码 :A 文章编号 (2009) Develop ment of Critical A rea Re search Met ho d for Int egrat ed Circuit s an d It s Challenge s ZHAN G Guo xia , MA Peij un , ZHAN G Xu , HA O Yue ( ) I ns t it ute of M icroelect ronics , X i d i an Uni vers ity , X i ’an 7 1007 1 , P. R . Chi na Critical area research method is one of the mo st important research subj ect s of design for manufacturability Abstract : 　 (DFM) . The mainstream critical area algorithms were summarized and analyzed. Advantages and limitations in Monte Carlo method , polygon operator method and Voronoi diagram were discussed. In addition , challenges to critical area research for deep submicron ICs using new lithograp hy technology were analyzed and discussed in particular . Key words :　Int egrat ed circuit s ; Critical area ; Critical area algorit hm ; Deep submicron lit ho grap hy EEACC :　2570A