GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 3$ 2 #% 2 ， ， ， HIB *3$ )I * 2 1J@JKL #% （ ） !:5#8+#%+3$ 2 +8%%:$ 16D1 4EFG,61 G,),61 %#% 6MN- * 4MOK * GI * !# 基多量子阱发光二极管的极化效应和 载流子不均匀分布及其影响! 顾晓玲 郭 霞 吴 迪 徐丽华 梁 庭 郭 晶 沈光地 （北京工业大学北京市光电子技术实验室，北京 !## ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #$ $ ! #% ! # 制备了 基绿光发光二极管 利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的 量子阱的极 ’() * ’()+ ,-’() 化电场强度* 考虑载流子在量子阱间的不均匀分布，模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程， 得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率 同时还得到了不同电流下电致发光（ ）谱的峰值波长、谱峰 * ./ 半高宽及 谱强度的变化情况 发现当测试电流由 增加到 时，理论结果与实验结果能很好符合 ./ * ! 01 % 01 * 关键词：极化，载流子不均匀分布，复合速率 ： ， ， $% %2$34 %23’ %%5 间的分布比值和辐射复合速率 研究了 谱的峰 * ./ 值波长、谱峰半高宽及 谱强度随注入电流的变 !9 引 言 ./ 化规律* 近年来，随着材料生长和器件制备技术的不断 发展，特别是具有较宽带隙范围的 : 族化合物的 # 9 器件结构 ! 出现，发光二极管（ ）的研究和应用得到了飞速 /.; ［— ］ 发展! * 但由于载流子的双极性输入，电子和空穴 实验中所用样品是通过金属有机物化学气相淀 积在（ ）蓝宝石衬底上生长而成 器件结构如图 分别集中在靠近 型掺杂区和 型掺杂区的阱中， ! * - 致使载流子在量子阱间不均匀分布，特别是对于低 ! 所示，在蓝宝石衬底上生长# -0 的’() 缓冲 层，其上淀积 厚的 型