In0.53Ga0.47AsInP量子阱与体材料的1MeV电子束辐照光致发光谱研究.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 15 (2015) 154217 InGaAs/InP量子阱与体材料的1 MeV 电子束辐照光致发光谱研究 玛丽娅 李豫东 郭旗 艾尔肯 王海娇 汪波 曾骏哲 1)(中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术 研究所, 乌鲁木齐 830011) 2)(中国科学院大学, 北京 100049) ( 2014 年12 月29 日收到; 2015 年1 月30 日收到修改稿) 为获得对In GaAs/InP 材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律, 开展了1 MeV 电子束辐照试 验, 注量为 5 10—9 10 cm . 样品选取量子阱材料和体材料, 在辐照前后, 进行了光致发光谱测试, 得到了不同结构InGaAs/InP 材料在1 MeV 电子束辐照下的不同变化规律; 对比分析了参数退化的物 理机理. 结果显示: 试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化. 体材料最先出现快速退化, 而 五层量子阱在注量达到6 10 cm 时, 就已经退化至辐照前的9%. 经分析认为原因有: 1) 电子束进入样 品后, 与材料晶格发生能量传递, 破坏晶格完整性, 致使产生的激子数量减少, 光致发光强度降低; 电子束辐 照在材料中引入缺陷, 增加了非辐射复合中心密度, 导致载流子迁移率降低. 2) 量子阱的二维限制作用使载 流子运动受限, 从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率; 敏感区域截面积相同条件下, 体材料比量 子阱材料辐射损伤更为严重. 3) 量子阱的层数越多, 则异质结界面数越多, 相应的产生的界面缺陷数量也随 之增多, 辐射损伤越严重. 关键词: In GaAs/InP, 量子阱, 电子束辐照, 光致发光谱 PACS: 42.88.+h, 78.67.–n, 61.82.–d, 61.80.–x DOI: 10.7498/aps.64.154217 行轨道主要为范艾仑辐射带, 它是地球磁场俘获宇 1 引 言 宙射线中的带电粒子形成的磁致浓缩区, 以电子束 和质子束为主. 研究辐照效应对量子阱材料光学性 低维半导体材料在新型半导体器件开发上具 质的影响, 直接关系着半导体激光器等众多其他光 有广阔的应用前景, 近年来一直是半导体科学技术 电器件在空间技术中应用的稳定性和寿命. 对量子 领域的研究热点. 量子阱材料适合于制作低阈值、 阱材料辐照效应国内外已开展不少研究工作. 1 Leon 等研究了InGaAs/GaAs 量子阱和量子 窄谱线的发光器件 . InGaAs/InP 系体材料和量 子阱、超晶格材料是制作激光器、调制器和光波导 点在1.5 MeV 质子辐照下的光致发光谱, 观察到 器件的基本材料2 , 具有重要的应用前景. 与InP 了在低注量下InGaAs/GaAs 量子点的PL 增强现 6 匹配的In GaAs 的室温禁带宽度为0.75 eV, 象 ; Aierken 等研究了 射线和电子束辐照下的 可以制作石英光纤最低损耗和