高档光刻胶材料的分子结构.docxVIP

中国感光学会成立30周年庆祝大会暨2011年学术年会论文摘要集高档光刻胶材料的分子结构许箭，陈力，田凯军，胡睿，李沙瑜，王双青，杨国强?（北京分子科学国家实验室，中国科学院化学研究所 光化学重点实验室， 北京100190）摘要：本文简述了光刻技术及其光刻胶的发展过程，并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的分子结构进行了综述，特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍，以期对我国 高档光刻胶的研发工作有所帮助。光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半 导体分立器件的细微图形加工[1]。1光刻技术概况光刻技术是利用光照，在有光刻胶存在下，将掩膜上的图形转移到衬底上的过程，其基 本原理如图1所示[2]。首先在衬底表面形成一层光刻胶薄膜（A过程）；然后紫外光通过掩 膜板照射到光刻胶薄膜上，曝光区域发生一系列的化学反应（B过程）；再通过显影的作用 将曝光区域或未曝光区域溶解而去除（C过程），最后再通过刻蚀等过程将图形转移到衬底 上。光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留，分为正像光刻胶和负像光刻胶。其中 正像光刻胶，曝光区域的光刻胶发生光化学反应，在显影液中软化而溶解，而未曝光区域仍 然保留在存底上，将与掩膜版上相同的图形复制到衬底上。相反，负像光刻胶曝光区域的光 刻胶因交联固化而不溶于显影液，将与掩膜版上相反的图形复制到衬底上。现代半导体工业要求集成电路的尺寸越来越小，集成度越来越高，并能按照摩尔定律[3] 而向前发展，其内在驱动力就是光刻技术的不断深入发展[4]。自20 世纪80 年代开始[4-8]， 光刻技术从I线（365nm），发展到深紫外(DUV, 248nm和193nm)，以及下一代光刻技术中 最引人注目的极紫外（EUV, 13.5nm）光刻技术，而对应于各曝光波长的光刻胶组分（成膜 树脂、感光剂和添加剂等）也随之发生变化，如表1 所示。Email:gqyang@11中国感光学会成立30周年庆祝大会暨2011年学术年会论文摘要集图1光刻的基本原理表1 光刻技术及其光刻胶的发展光刻波长主要用途感光剂成膜材料光刻胶体系紫外全谱nm)(300－4502 ?m以上集成电路和双叠氮化合物半导体器件环化橡胶环化橡胶－双叠氮负胶 酚醛树脂－重氮 萘醌正胶G 线0.5?m以上集成电路0.35－0.5 ?m集成电 路重氮萘醌化合物酚醛树脂(436nm)I 线 (365nm)0.25－0.15?m集成电光致产酸剂路聚对羟基苯乙烯及其衍生物 聚脂环族丙烯 酸脂及其共聚 物248 光刻胶KrF (248 nm)ArF (193 nm干法)ArF (193 nm浸没法) (高折射率浸没流体+ 高折射率透镜) 极紫外(EUV, 13.5 nm)130－65 nm集成电路光致产酸剂193 光刻胶45nm, 32 nm集成电路32nm, 22 nm及其以下光致产酸剂 集成电路聚酯衍生物分子玻璃 单组分材料 甲基丙烯酸脂 及其共聚物EUV光刻胶电子束掩膜版制备光致产酸剂电子束光刻胶目前光刻生产中最先进的193nm浸没式光刻配合双重曝光技术可以达到32 nm节点[4,9]。而这一技术要求增加了光刻的难度和步骤，使得成本显著增加，生产能力也明显降低。利用13.5 纳米的极紫外光（EUV）进行光刻可以相对简单的达到32nm和22nm节点，甚 至可以达到小于10 nm的技术节点[4]，许多研究单位将下一代光刻技术都瞄准了EUV光刻12中国感光学会成立30周年庆祝大会暨2011年学术年会论文摘要集技术。然而，EUV 光刻技术中使用的光源、光刻胶、掩膜及光刻环境均与现有的光刻体系有很大差别[5]，这就使得EUV还不能很快实现商业化，在一定时间内193 nm技术仍将会成 为市场的主流。根据2010年国际半导体技术路线（ITRS）预计，将有可能在2012年-2013年实现基于EUV光刻技术的22nm光刻技术节点[10]。2化学放大光刻胶在193nm和EUV光刻技术中，所使用的光刻胶大都属于化学放大光刻胶（Chmicallyamplifiedresist,CAR）。20 世纪80 年代初[11]，基于化学放大概念的光刻过程大大加快了光 刻技术的发展。化学放大是指在光的作用下，通过光酸产生剂（Photoacidgenerator，PAG） 的分解产生强酸，在热作用下将主体树脂中对酸敏感的部分分解为碱可溶的基团，并在显影 液中通过溶解度的差异将部分树脂溶解，而获得正像或负像图案。图2 即为化学放大正像光 刻胶的基本原理[12-13]，t-Boc保护的对羟基苯乙烯（t-Boc-PHS）在光酸产生剂作用下分解， 产生碱可溶的对羟