氢化微晶硅薄膜的VHFPECVD法制备与等离子体诊断研究.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料．215． 与等离子体诊断宰． 杨恢东黄君凯 暨南大学电子工程系广东广州510632 【摘要】 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术，在不同等离子体 量技术对制备过程中的硅烷等离子体进行了原位诊断。由厚度测量与Raman光 谱分析可知，随着等离子体的激发频率从80MHz增大到140MHz，“c-Si：H nm／s提高到16nm／s，晶化率和平均晶粒尺寸则由58％、 薄膜的生长速率由1。1 6．5rim增大到70％、‘9．2llm。Langmuir探针测量表明，随着等离子体激发频率 的增大，硅烷等离子体中电子的平均能量降低而电子数密度增大，这些结果可 以较好地解释pc-Si：H薄膜沉积速率和结构特性随等离子激发频率的变化规律。 【关键词】 氢化微晶硅薄膜甚高频等离子体增强化学气相沉积‘Langmuir探针 Fabricationof SiliconThinFilmsWith HydrogenatedMicrocrystalline Vhf-Pecvd AndPlasma Technique Diagnosis YangHuidongHuang Junkai，。 ofElec00nic Jinan 510632 Department Engineering，University，Guangzhou 0引言 近年来，薄膜硅基太阳能电池已经成为太阳能光伏应用领域的研究热点。由于非晶硅薄 膜太阳能电池效率存在较为严重的光致衰退，微晶硅薄膜，(1xc—Si：H)太阳能电池的研究日 益受到重视【1】。然而，常规的射频(RF)等离子体技术制备“c—Si：H薄膜的沉积速率非常低。 电池应用等方面开展了一系列卓有成效的研究工作呤，引。与RF技术相比，VHF电源激发硅 (2006和暨南大学自然科学基金资助项目 ·216· 中国太阳能光伏进展 控制，我们曾经采用光发射谱技术对硅烷放电等离子体参数进行原位监测，取得了一定的进 展‘7·8]o本文中，．我们主要报道采用Langmuir探针技术进行原位监测的结果。 1实 实验中肛一si：H薄膜样品制备在平板电容式PIN三室连续沉积系统的I室中进行，本底 cm2X5 真空约为10_4 cm、大小5 Pa，方形电极间距为2．0 制备了对应于激发频率为80～140MHz的四个样品，其他工艺条件参见试验结果中的标注， 样品的厚度由台阶仪测量，结构特性则Raman光谱的予以分析研究。 2结果与讨论 2．1 沉积速率 ! ： “c-si：H薄膜沉积速率随等离子体激发频率的变化如图1所示。由图1可知，随着等离 1．6 nm／s。采用常规的射频(13．56 约为O．I (s／【HIIIv o_墨IIo粤∞0c石Q Plasma