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2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct.2005
of Science V01.42Issue2
Sichuan Edition)
第42卷增刊2 Journal University(Natural
文章编号:0490—6756(2005)072—0187—03
水热构筑管状ZnO及其形成机理
杨丽萍,李燕,邓 宏
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054
摘要:作者采用低温水热法在硅衬底上生成了微米级管状zrlo,利用扫描电子显微镜
(sEM)和x射线衍射(XRD)分析样品的形貌和物相姑构.在不同温度下对样品进行了热处
理,实验结果表明,在723K下ZnO微管的结晶性能最佳.初步探索了此管状结构的形成机理:
溶液中先形成ZnO的球形颗粒并沉积在村底上,然后形成中空结构,最终生长为六棱管状结
构,
关键词:ZnO;水热;形成机理
中图分类号:O611.4 文献标识码:A
引言
ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,具有良好的光电性能.可用于制作短波长光电器件。如发光
二极管【1】紫外光探测器【2]等,在信息及军事等领域有重要用途,因此制备高质量的ZnO材料具有重要意
光沉积(PLD)f5J、蒸发【6J和水热等.水热法是19世纪中叶地质学家模拟自然界成矿作用而开始研究的,其
特点就是制备所需温度低,生成产物均匀、致密,越来越多的人开始采用水热法来制备高质量的ZnO材
料.
随着20世纪90年代碳纳米管【7j的同世,管状材料由于具有规则的外形,中空的结构以及较大的比表
面积,引起了人们广泛的关注.目前制备管状ZnO材料的相关报道较少,尚未见采用水热法制备管状ZnO
材料的报道.我们采用简单的低温水热法在硅基片上成功地合成了六棱管状ZnO,对ZnO微管进行热处
理使其结晶质量更佳。并对管状结构的形成机理进行了初步的探讨.
2实验
将N型Si(111)基片用重铬酸浸泡2h,之后用去离子水、丙酮、酒精依次超声清洗,完毕后置于酒精中
待用.量取50mL前驱物溶液填人反应釜内胆中,将酒精中的基片取出烘干之后放人溶液中.盖紧釜盖之
后将反应釜置于恒温鼓风干燥箱中,反应温度设为453K,保温时间为12h.实验结束后关闭电源,待反应
釜自然冷却至室温后取出生长有ZnO的硅基片,用去离子水反复冲洗并烘干.采用扫描电子显微镜
3结果与讨论
3.1 ZnO微米管的形貌和物相分析
从反应釜中取出长有znO微管的硅基片,用去离子水反复冲洗.烘干后对ZnO微管进行扫描电镜和
x射线衍射分析,结果见图1),kilt1(a)的形貌图中可看出,ZnO微管为规则的六棱形结构,管径在5pm
收稿日期:2005—08—30
188 四川大学学报(自然科学版) 第42卷
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图1 ZnO微管的表面形貌覆物相蛄构
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