高灵敏度探测器级N型高阻硅单晶的研制.pdfVIP

了)7分艺 ·TN了014-.(乞口、犷了 高灵敏度探测器级N型 高阻硅单晶 ，...口... 护口. 王 (峨局丰导体材料厂、所，峨局山6142加) 1 前 盲 以我们选用SiHC13还原的优质多晶作为原 随着近区核物理和抗辐射加固技术的发 料。 展，高灵敏度探侧器被广泛应用于近区物理 从真空区熔提纯理论得知:经过多次真 侧试和军事目的。且对探侧器的灵敏度要求 空区熔提纯后硅棒中的杂质浓度沿锭长的分 也越来越高，因此要求探侧器的用材一硅材 布C(x)为 料要求也随之提高，它要求硅单晶具有N C(二)=。一px(C.o+X.AiX)+[1/(1+ 型超高纯 (极高电阻率)、良好的均匀性、 LE/KVP)]“·Co+{1一[1/(1 完整的晶格结构、较低的补偿度和极高的少 十“/KV})〕’}KC/E””” 子寿命等。由于茸应用范围的原因，国际上 ... … … (1) 很少有这方面的资料可借鉴，再者在工业上 P 二 式中:夕=A/以熔区表面积与体积比)， N型高阻硅单晶的制造难度较P型高得多 K/L+E/BV,K为杂质在硅中的分凝系数， (许多探侧器均选用P型高阻硅单晶替代)， V为移动速率，L为熔区长度，E为杂质的真 因此加大了我们研制的难度。但N型高阻 空挥发系数,C.为杂质返回f. 材料所具有的优越性在某种程度上是P型不 其分布如图1, 能取代的，为此我们提出了新的工艺:采用 高真空区熔提纯燕发工艺和保护气氛成晶工 CW 艺。 B 2 工艺原理 . I 2.1籽晶的选择 . 为保证晶体的超高纯 (具有极低的杂质 浓度)，必须使籽晶的杂质浓度低于晶体的 图1C,(x)分布图 杂质浓度，即N型杂质几乎为零的条件。 因此选用P型 (111)、电阻率大于8kClcm, 从图1和式 (1)分析可知:当提纯次 补偿度低于2096、少子寿命大于l000ps的 数n增加时，图1中的AB段、CD段增长， 籽晶。 BC段缩短 (这是由于硅棒中杂质的挥发、 2.2 多晶原料和工艺 分凝和返回三者因素综合作用的结果。)，而 我们知道硅烷多晶具有较高的纯度，看 降低原料的利用率。因此提纯次数最好较 来适合应用，但其往往伴随着硅裂现象和电 低，这就必须要求原料具有较高的电阻率， 阻率不均匀等，因此在工艺