光导型GaNSi探测器的研制.pdfVIP

第6卷第3期 功能材料与器件学报 2000年9月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES N20o0.03 文章编号:1007一4252(2000)03一0256一03 光导型GaN/Si探测器的研制 江若琏，席冬娟，赵作明，陈 鹏，沈 波，张 荣，郑有拼 (南京大学物理系，南京210093) 摘要:采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型 Si墓GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250-360二有近于 平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波长处5V偏压下的响 应度高达6.9A/Wo响应度与偏压的变化关系表明，4V以前为线性增加，5V后 达到饱和。 关锐词:Si墓GN;探测器;响应度 中图分类号:TN36 文献标识码:A 提 1 前言 GaN是一种直接宽带隙(3.4eV)半导体，适用于红外和可见光背景下的紫外探测，在军 用和民用上都有重要的应用前景。蓝宝石衬底GaN薄膜的生长已较为成熟，以其为材料的 探测器也有了较多报道;而以Si为衬底的GaN薄膜的生长正在研究之中，Si基GaN光电探 侧器的报道还很少Ill.Si为衬底有成本低、易于集成、易于切割等优点。但是GaN与Si之间 的晶格失配(17%)和热失配(36%)大，使得直接在Si衬底上生长高质量的GaN有困难。目 前主要靠缓冲层技术来解决这个问题。 本文报道了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si基上用高温AIN缓冲层技术 生长GaN薄膜，并用此材料制造金属一半导体一金属(M-S-M)结构的光导型探测器，对 探测器的光电性质进行了测量和讨论。 2 器件制备 GaN生长采用光辐射加热低压MOCVD系统”，，以三甲基稼(TMG.)和高纯氨气(NH3) 分别作为Ga源和N源，H:作为载气，在9500C和1.0x10Pa的条件下在高阻S)Illi( 上生 长约1Wm厚的GaN外延层。生长外延层之前，为了减少Si与GaN之间的失配引起的应变， 先在10700C的温度下长了200nm的AIN作为缓冲层。在材料室温光致发光谱(PL)中，观察 到样品在363二 处有尖锐的近带边发光峰，半高宽为16nm。用VanderP。方法进行霍尔 收稿日期忿2000-07-06;修订日期:2000-08-24 甚金项目:863计划和国家自然科学基金资助项目69636010 作者简介:江若琏(1943一).女，教授. 3期 江若琏等:光导型CaN/S，探测器的研制 测量，表明材料为非故意掺杂n型，背景载流子浓度为13/1沪cm一’，迁移率为21Ocm，/ V:。这些结果表明用这种方法生长的GaN薄膜具有较高的质量。 光导型M一5一M探测器的结构采用梳状电极，梳状电极条宽ro卜m，长360卜m，间隔为 巧林m，管芯光敏面积为0.巧cm气用AI作为电极金属，在NZ气氛中合金化，温度为405吧，时 间为3min。 3测量与讨论 用半导体参数分析仪测量GNa/51探侧器的电流电压特性，得到线性的1一v特性，表 明样品有良好的欧姆接触，暗电阻约为KIn。探测器光电流响应谱在多功能光学系统上测 量，该系统以傲灯为光源，人射光垂直照在样品上。 GNa/51探测器的典型响应曲线(偏压为sv)如图1所示。由图可以看出，波长从25n0m 到63Onm，光电流响应近乎平坦，36n3m处有很陡峭的截止边，在35n7二时达到最大响应。经 标准的51探侧器校正，得到GaN/s1紫外探测器在sv偏压下的响应度为69A/w，远远大 于所报道的51基GaN肖特基型探侧器的响应度(。18A/w)川。如此高的响应度主要是样品 的光电流增益较大的结果。增益为少数载流子寿命，与多数载流子到达电极渡越时间孔的 比值，增益大反映了GNa材料的迁移率较高，光生载流子寿命较长。响应谱显示，波长大于 635nm(即带隙以下)的响应度很小.主要来自于禁带内的能级跃迁，是由GaN薄膜中的缺陷 和杂质引起的。 n 艺 1