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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
2006年10月 CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS 0ct．2006
The of theManufactureProcessof
ApplicationPolyimide(PI)in
RFMEMS ShuntSwitch
Capacitive
PENG
Hui—ya01，YUYin91，LUOZhong—zi2，WANGPei—sen91
ElectronicScienceand
of 350002，China’
，1．Department AppliedPhysics，FuzhouUniversity，Fuzhou 、
＼2．SA MicroelectromechanicalResearchCenter，Xiament Xiai,Rgn360005，China)
Petung Systems University
akindof afavorable andis
Abstract：Aspolymer complanationpropertyeasy
material，polyimide(PI)holds
tobecomeashinthe alsocanresistion the andbe
oxygen．PI etchingproducedby CHF3plasmabody easy
todissolveinalkali solutionwhenitisnotsolidified onthe men—
developer completely．Basisedproperties
canbeusedinthe of MEMS ShuntSwitchtoachievea
tionedabove，PI manufactureRF
process Capacitive
onthesizeofdielectric andsomeother
control thicknessofsacrificial
precisely layer，the layer graphpa—
rameters．
MEMS shunt
Key capacitive
words：polyimide(PI)；RF
layer
EEACC：2575；2180
聚酰亚胺(PI)树脂在电容式RF
彭慧耀1，于 映1，罗仲梓2，王培森1
(1．福州大学电子系，福州350002；2．厦门大学萨本栋微机电研究中心，福建厦门360003)
摘 要：聚酰亚胺树脂(PI)因其良好的平面化特性、在氧气中易灰化、不完全固化易溶解于碱性显影液、在CHF3等离子气
氛中有较强的抗蚀性等性质，在电容RFMEMS开关的制作过程中，应用它作为刻蚀保护层和牺牲层，不但可以使工艺过程
得到简化，而且可以对开关的介
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