CdS纳米半导体薄膜的光电性能研究.pdfVIP

108 2C04年全国电子电镀学术研讨会论文集 CdS纳米半导体薄膜的光电性能 栾野梅，安茂忠，乐士儒．张文吉 (哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨150001) [摘要]咀不同摩尔比的氯化镉与硫代乙酰胺混合溶液为电解液，应用电沉积技术，在表面活性剂与电解液的液／液界画 之问制备CdS纳米薄膜。研究了原料比例，槽压，沉积温度，电锵液酸碱度对纳米膜光电性能的影响，确立了制备CdS纳米半导体 薄膜电极的最佳工艺条件。SEM观察到，此薄膜是由粒径大约70nm左右的球形晶粒连结而成的，从相应废域的能谱图可以断定 膜在紫外光照射下发出荧光；紫外～可见吸收光谱分析表明这种CdS纳米膜具有昔子尺寸效应，起始吸收相对于体相带系发生r 蓝移。CdS纳沫膜光电极的光电化学特征表明，光电流在阳极方向增加，这是n型半导体的标志。此外，阳极光电流随阳极屯势的 增加达到饱和，该特征预示CdS纳米膜可用于制作与光电化学能量转化(142和()2产牛)有关的光电极。 【关键词】电沉积CdS纳米膜 1前言 2实验方法 纳米半导体CdS作为一种典型的半导体光电材 纳米薄膜的制备：氯化镉(分析纯)溶液与硫代乙 料在光吸收1]“、光致发光”】e“、光电转换㈨、非线性 酸胺(分析纯)溶液以不同摩尔比混合均匀后，小心地 光学”。、光催化…和传感器”“”等方面都有极好的应 将表面活性剂的氯仿溶液滴加到电解液表面，随着氯 用前景。目前，化学界热衷于制备的几种纳米硫化镉 仿的挥发，表面活性剂在电解液表面铺展开。实验装 材料主要存在的问题：(1)单一的纳米硫化镉粒子“… 置见图1，阳极深插入电解液中，阴极的尖端正好处于 加工难度较大，在使用上受到限制；(2)纳米硫化镉／ 表面活性剂与电解液的界面，采用直流稳压电源进行 无机物复合粒子”i可根据所需的性能确定与硫化镉 恒压电化学沉积。沉积结束后，将薄膜转移到洁净的 复合的无机粒子，但存在着纳米粒子混合不均匀、加 基片上，先在空气中干燥～段时间，然后依次用丙酮、 工难度较大等缺点，在实际应用中也受到限制；(3)纳 蒸馏水清洗，干燥后进行各项性能测试。 米硫化镉／高分子复合膜材料”“由于其加工性能好， 纳米薄膜的表征：纳米薄膜 分子设计的可行性，粒子大小、含量、粒子晶型等的可 的形貌表征及化学组成分析采用 控性，备受关注，但是目前纳米粒子／高分子复合材料 HITACHI S一4700型扫描电镜； 存在的纳米粒子分散不均匀，纳米粒子在体系中不稳 紫外可见吸收测量用日本KYO— 定，容易发生团聚和相分离等现象还没解决。这些都 TO公司的2100型紫外一可见分 会使材料的实际应用受到限制。因此寻找一种工艺 光光度计；荧光光谱测量用日本 简单、成熟的方法合成性能优异、可控的纳米CdS膜 HITACHI公司的F一4500型荧 具有卜分重要的意义。 本实验采用电沉积方法在表面活性剂与电解液 南㈣埘矬黼隰蒜淼黧‰ 的液／液界面之间电沉积硫化镉纳米膜，这种方法消 除了普通电沉积法”“。制备纳米膜过程中有害气体 对纳米膜的影响及纳米膜与基体不能分开的缺点，而 电流200mA。 且成本低，设备简单，操作方便。紫外一可见光谱及 3实验结果与讨论 荧光光谱表明这种方法制备的硫化镉纳米膜具有明 显的量子尺寸效应及光致发光性能。将其制成膜电 3．1 纳米膜的表观形貌及组成分析 极并对其光电性能进行研究表明，这种方法制备的硫 图2是取到铜片卜经过喷金的硫化镉纳米膜的扫