非线性GaAs光电导开关的电流丝机理研讨.pdfVIP

摘要 论文题目：非线性6a／ts光电导开关的电流丝机理研究 学科专业：物理电子学 研究生：马成 签名：煦 指导教师：施卫教授 签名：李红 摘 要 与传统开关相比，GaAs光电导开关具有开关速度快、时间抖动小、触发无晃动、 寄生电感电容小、高重复频率、结构简单特别是耐高压及大功率容量等优点使其在超 导开关中存在的非线性模式(亦称载流子倍增模式)，使光电导开关的在功率脉冲中的应 用更为有效、广泛、方便、灵活，然而非线性工作模式下伴随有丝状电流现象，且电 场锁定时间长达数十个微秒，极易造成开关电极和芯片材料的损伤，极大地影响了开关 的输出功率和使用寿命。 本文从GaAs材料性质出发，通过实验和理论分析了光电导开关的导通机理，指 出高倍增模式下工作的光电导开关许多性质类似气体流注，如载流子穿越速度大于其 饱和漂移速度，另外电流丝现象也类似气体放电。非线性GaAs光电导开关的流注模 型包括三个方面：即流注的产生、流注的发展和Lock．on效应，并用此模型对丝状电流 速度性质进行了详细的研究。通过实验分析并提出形成丝状电流所需的两个条件：一 个是载流子密度不能小于．1017cm一，另一个是电场大于250kV／cm。在此基础上，计算 出了丝状电流的速度为2×108 cm／s。文中用F—K效应与等离子体收缩效应解释了电流 成丝的原因。 本文还分析了开关的击穿机理，指出光电导开关存在完全击穿和不完全击穿两种 击穿状态，并且丝状电流是造成这两类击穿的主要原因，丝状电流内部的载流子浓度和 速度，以及偏置电压强度是造成这两类击穿主要因素，最后提出了避免光电导开关击穿的 方法。 关键字：GaAs光电导开关；非线性模式；流注模型；丝状电流；击穿 本研究得到国家自然基金(No10876026)的资助。 西窒堡三奎堂堡主堂垡笙奎 ————————————————————————————————————————————————————————一。 一 ．． Abstract ——————————————————————————————————————————————————————一．～ Title：STUDY OFCURRENT FILAMENT OF NON—LINEAR SEMI—INSULATION GaAs SEMICONDUCTOR SWITCHES ELECTRONlCS Major．PHYSICAL Ma Name：Cheng SHI Supervisor：Prof．Wei Signature：心‘：≤幺’ Abstract withconventionaldevices Compared suchas or sparkgaps semiconductor photoconductive such switches(PCSSs)demonstra