RF+MEMS引线键合的射频性能和等效电路研讨.pdfVIP

v01．19 第19卷第5期 传感技术学报 No．5 CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS 2006年10月 JOURNAL Oct．2006 OnRFCharacterizationand ofRFMEMS Wire Modeling Bonding WU Han—qin’。LIAOXiao-ping MEMS 210096，China) (KeyLaboratoryof MinistryofEducation，SoutheastUniversity，Na嘶ing RFcharacteristicsof wireinterconnectionina modelweresimulated． Abstract：The bonding simplepackage Different distanceofthe wiresweresimulatedHFSStoevalu— length，height，diameter，andbonding using ate theeffectofthese ontheRFcharacteristic．Ancircuitmodelofthe was parameters equivalent package andthe valueswereextracted．ThecircuitmodelwassimulatedthesoftMicro— presentedparameters using wave tothe dB resultssimulatedHFSS，thedifferencesof werewithin2 ran- Office，compared using S11 from6 GHzto10 differencesof werewithin 1 GHzto10 GHz，the s21 0．1dB from GHz． ging ranging model Keywords：bondingwire；RFcharacteristic；circuit E】艮蛇C：2160 RF MEMS引线键合的射频性能和等效电路研究 吴含琴。，廖小平 (东南大学MEMS教育部重点实验室，南京210096) 摘 要：针对一种用键合线连接的简单封装模型进行射频性能的模拟。用HFSS软件对不同长度、不同高度、不同直径以及 不同间距的键合线进行模拟，总结出这些参数对键合线射频性能的影响．提出了由顶盖、CPW和键合线组成的简单封装结构 的等效电路，并提取参数值．用MicrowaveOffice软件对等效电路进行模拟，其S1，在6～8GHz内与HFSS模拟的模型的Sl， 相差2dB以内，其