磁控溅射A1N薄膜的制备及其结构特性研讨.pdfVIP

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2018-01-08 发布于广东
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磁控溅射A1N薄膜的制备及其结构特性研讨.pdf

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1 1 . i l l f 磁控溅射AIN薄膜的制备及其结构特性研究， t ‘ J . 王波，王如志，黄安平，严辉 1 十 (北京工业大学材料科学与工程学院，北京 100022 一摘共:通过滋控城封系眺，在单晶硅片上制备了结构和表面形貌分析。六角氮化铝薄膜;改吏城封气压，也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于城 3结果及讨论射气压将影响城封杜子的能t，从而导致城封过租中出现不同的沉积方式. 由于氮化铝薄膜的取向是与磁控翻射气压密切关盆询:磁担盆封:A】N旅助:APM:派朗气压相关的.因此在我们期望通过改变溯射气压来沉积人IN薄腆以导求其规律性。实脸中。在不同的旅射今一 1 引言气压下.我们制备两种择优取向的AIN薄腆。图1 给出了两种AIN膜的XRD能谱，其中 (a)溯射压氮化铝 (AIN)是一种宽带隙半导体。它除了为0.587Pa.而 (b)派射压为0.0533Pa·在 (a) 具有很宽的带除(6.2eV)外，还有若较高的硬度(1200 中可着到两个强衍射峨对应于六角AIN的 (100) ‘ 掩 ·mm)和热导串 (3.0