管式扩散中POCI3使用量的测量及对扩散工艺的影响研究.pdfVIP

晶体硅太阳电池及材料．137． l 管式扩散中P003使用量的测量及对扩散 工艺的影响 陈琼1’+，蔡希松，李钟华，刘秀兰，潘盛，刘志刚，孙铁囤 (1．常州亿晶光电科技有限公司，江苏金坛213200) 摘要 本文研究了同一瓶三氯氧磷扩散源使用过程中，随工艺次数增加，氮气量保持恒定的情况下，磷源的携带量 逐渐减少。硅片的方块电阻逐渐增加，方块电阻和电池片效率的离散度逐渐增加。通过对同一瓶三氯氧磷使 用过程中逐渐增大氮气流量，方块电阻趋于稳定，方块电阻和电池片效率的离散度减小。 关键词 光伏会议；单晶硅；太阳能电池；稳定扩散；三氯氧磷。 ●‘●^·_■一 I目U 昌 1．1管式炉扩散 管式炉扩散方法由于工艺洁净度高，使用方便的优点而广泛用于半导体P．N结制造。在晶体硅太阳电池 制造中也用来制作P—N结。由于光伏产业产量大的特点，提高单炉装片量，保证批量扩散产品质量参数的一 致，具有重要的意义。掺杂剂在半导体中的扩散过程是一个复杂的物理过程，目前尚不能实现定量的在线控制， 只能用近似的数学模型进行估算。而这些估算又与实际的情况有较大的差异。川扩散过程中，任何条件的细微 变化，都会引起扩散杂质分布的变化。扩散硅片的质量参数在单片内、片与片之间、各批次之间存在差异是绝 对的，关键在于如何控制它，使它落在预定的范围。[21 1．2扩散后的方块电阻 扩散系统内的杂质蒸汽压低，在一定扩散条件下使进入硅体内的杂质含量减少，方块电阻偏大。杂质蒸汽 压过高、扩散温度太高、扩散时间太长或携带源的气体流量过大等原因造成方块电阻偏小。 另外，料(硅片)本身质量、硅片清洗程度、石英舟中各处的温度差异等会造成扩散均匀性差；各次扩散 过程中，如果炉温、时间变化较大、杂质的饱和蒸汽压变化、清洗处理程度有区别以及操作误差会导致扩散的 重复性差。口1 2实验方法与工作原理 2．1工作原理 2．1．1理论上源的用量计算 量需大于30L／min。【41本试验工艺时气体流量为33 艺时间为35分钟。每分钟内流进炉管内磷源的摩尔数为： 138第十届中国太阳^E光饿寺议论太集 ／)oxP M。px22一．4 其中M：每分钟流进的磷源的摩尔数 P：(加℃)当地大气压 Po：(20℃)磷源的饱和蒸汽压 v：每分钟进人管内的小氯气体总量(Ln“n)14] v和源液面高度有关，它会随着源液面高度的下降而减少，流量可以表示为时闻积分的函数。 ‰=2一JQM，tdt 按静态粗略计算，先不考虑源液面的下降而造成的小氯流量的损失。本文按照初始2升每分钟计算。 35=1 x10 0395x10’mol。 可得M=2973moFmla，所以总通^的POCl3董为297x10’x 1 0395x x 已知三氯氧磷的分子量为153339／tool，密度为l679抽1．所以总的三氯氧磷体积为：v=l10 67=9 15333，I 51ml。㈣ 实验中．通过实际数据测量每次工艺源的用量看是否与理论值相等。若不符其影响因素会有哪些，是否可 调可控。若符合就可以得到一个源用量曲线，可更好控制每次工艺方块电阻，扩散源用量等参数。 1 1 2实际测试源的使用量计算 8mm2。 已知源瓶直径为8993mm．管壁厚为2．02ram，源瓶的截面积可以由此计算出为5793 测试每攻工艺后源液面下降的高度．统计求平均值