基于SPICE的单电子器件和电路模拟器研究.pdfVIP

基于SPICE的单电子器件和电路模拟器， 沈波，蒋建飞，蔡琪玉 (上海交通大学微米i纳米科学技术研究院 上海交通大学应用物理系) .要本文论述了我们移往和发展的基于通用集成电路樱拟软件SPICE的单电子器件和电路模拟器 SJTU-NANO-SESPICE1.0.通过把基于主方程的单电子晶体于器件方程引入SPICE，使其可以 处理含有单电子益体甘的的电路和系统.这对单电子电路和单电子一丰导体MOS混合电路的大规 模设计和分析都有重要意义。 关健词SPICE·单电子益峥 器件方程 ， / 一 引言 为了适应日益发展的集成电路技术的需要，研究者提出了工作机理基于单电子效应的单电子晶 体管M,随着近十年来对单电子器件，尤其是对单电子晶体管的研究的不断深入 其在数字与模拟 电路中的应用潜力已经引起了越来越多的关注[2a1，成为纳米电子学应用的一个热点. 鉴于SPICE(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis)已经成为目前非常成熟的 通用集成电路仿真软件HI，有人提出结合SPICE进行单电子电路的数值模拟.具体的方法可以是将 单电子器件方程加入SPICE151，或者利用等效电路宏模型来构建单电子器件模块161.这样.就可以 利用SPICE现有的强大的电路数值模拟功能，来进行单电子电路以及单电子一常规半导体混合电路 的大规摸设计和分析。而单电子晶体管作为最常用的也是最基本的的单电子器件，其册件方程加入 SPICE有着极重要的实用意义。 本文将研究可以和SPICE兼容的，基于单电子效应主方程的单电子晶体管器件方程，并通过将 其引入SPICE以考察实际应用效果。第二节将介绍该器件方程，以及将此器件方程应用于SPICE 的限制条件.第三节将采用由我们自己移植和发展的SJTU-NANO-SESPICE1.0对电路实例进行数 值梭拟.并讨论结果。 二 基于主方程的单电子晶体管器件方程 单电子晶体管的结构及其电路符号见图1.构成单电子晶体管的两个纳米隧道结的连接处称为 岛区 电子在两个纳米隧道结上的隧穿率，即单位时间内通过隧道结的电子数，可以表示成岛区电 子敌 的函数 : ncWn)= (1) e气5、 y{1eV[,n(，一VDS()，一_2eC,} 其中，正负号的上标表示岛区电子数的增加和减少 ;V,(n)是 岛区电位;CE=CD+CS十CB十Cc;y(a)的表达式为: 口 二巴 一 (2) y(a) I-exp(a、 k.T 图1互电子晶休管的结构及电路符号路. *国家自然科学基金 (No;上海AN基金 (No.98009)资助项,I. 403 单电子晶体管岛区的电子数是不确定的，记岛区电子数为k的概率为Pk,则所有这些概率构成 一个向fP=(...,Pk-1,Pk,Pk+1，二了·当单电子晶体管稳态工作时 向fP满足如下主方程M-P= 0.M为一方阵，其元索为 : r . . . ra(i)+r;(i),了=J . M J - - 亏 . ! 一r.U)一巧(i),i=l一I (3) 1 0,otherwise 、 由于实际愉况下只有有限的几个状态 (岛区电子数)的概率较大，而其余的可以忽略不计，同时考 虑到概率的归一化条件EPk二I则稳态主方程可以采取如下形式. 风 Mka.l 0 0 W I 几 、 1 1 户 材k+i.k+l材N7t+7 . . 。 P + . 犷 P ︸ ﹂ 几 0 0 二 . = 0