第7章 功能陶瓷材料..pptVIP

§3 功能陶瓷的改性方法 （自学为主） 一、同价元素取代： 取代元素的离子半径应与被取代离子的离子半径接近，以保证晶格结构的类型不发生变化。 由于不同离子的半径总是不同的，所以同价元素取代后总会使点阵结构发生某种程度的畸变，从而造成陶瓷性能的变化。 本页 -P54 自学 * 组成 密度 Kp d11 Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 7.40 544 0.48 —71 Pb0.95Ca0.05(Zr、Ti)O3 7.26 973 0.44 —88 Pb0.92Ca0.08(Zr、Ti)O3 6.89 888 0.32 —60 Pb0.95Sr0.05(Zr、Ti)O3 7.47 1002 0.50 —101 Pb0.9Sr0.1(Zr、Ti)O3 7.22 1127 0.49 —103 Pb0.8Sr0。1 (Zr、Ti)O3 6.48 1257 0.34 —86 例如：PZT中以Ca或Sr部分取代Pb后性能变化 注： — 介电函数，Kp—机电耦合系数，D31—压电系数 * 二、异价元素取代： ? 异价元素取代仍然要求取代离子与被取代离子的半径接近。 由于取代离子与被取代离子价电子的差异，取代过程必然伴随附近其他离子的变价或格点空位的产生，以保证电中性。离子的变价和空位的产生将明显地改变材料的性能。 1、高价元素取代低价元素。 例：在BaTiO3中搀入0.1～0.3at%的La，可使材料变为半导体。 lnρ 6 1 La * 原因分析： 将La2O3掺入BaTiO3中，由于La离子与Ba离子的电负性及离子半径相近，La可固溶取代Ba. La3+取代Ba2+出现正电荷多余可以有两种电荷补偿机制：①在别处减少正电荷。②在别处增加负电荷。 在La含量较小时，采取在别处减少正电荷的方式进行电荷补偿，即Ti4+→Ti3+，这常称为电子补偿机制。可表示为 在La含量增大时，采取在别处增加负电荷的方式进行电荷补偿，出现Ba空位，这称为空位补偿机制，可表示为 * 2、低价元素取代高价元素 ZrO2掺CaO: 反应式 缺陷平衡式 ，掺一个Ca,产生一个 ； ZrO2掺Y2O3: 反应式 缺陷平衡式： ；掺2个Y,产生一个 Ca，Y等掺杂可在材料中产生氧离子空位，使材料变成氧离子导体。 * 三、同类结构物按一定比例固溶 X=10 35 25 20 0 ε T 例：BaTiO3 + x SrTiO3的介电特性 * 例：CdS-CdSe的相对光谱强度 1.0 0.5 0.0 相对光谱强度 400 500 600 700 800 900 1000 1 2 3 4 5 λ/nm CdS(100%) CdS-CdSe(15%) CdS-CdSe(40%) CdS-CdSe(60%) CdSe(100%) * 四、纳米添加陶瓷增韧：例如 把纳米Al2O3粉体加入粗晶粉体中提高氧化铝的致密度和和耐热疲劳性能； 把纳米氧化铝与二氧化锆进行混合在实验室已获得高韧性的陶瓷材料，烧结温度可降低100℃； 用纳米氧化铝与亚微米的二氧化硅合成制成莫来石，得到一种非常好的电子封装材料，提高了致密度、韧性和热导性； 将纳米碳化硅(小于20％)掺人粗晶a－碳化硅粉体中，当掺和量为20％时，这种粉体制成的块体的断裂韧性提高了25％。 P46 - 本页 自学 * 五、陶瓷材料表面改性 为什么要进行表面改性？ 陶瓷材料的特点：高熔点、高硬度、高刚度、高化学稳定性、高绝缘绝热性能、热导率低、热膨胀系数小、摩擦系数小、无延展性等鲜明的特性。 陶瓷材料的弱点：:塑性变形差，抗热震和抗疲劳性能差，对应力集中和裂纹敏感、质脆以及在高温环境中其强度、抗氧化性能等明显降低等。 表面改性技术的目的就是克服陶瓷的上述弱点，使陶瓷材料能够以其优良的物理、化学性能,在航天、航空、电力、电子、冶金、机械等工业,甚至现代生物医学中得到广泛的应用。 * 表面改性的主要技术： 传统的表面改性技术有渗氮、阳极氧化、化学气相沉积、物理气相沉积、离子束溅射沉积等。 表面改性的新技术：利用激光束或离子束的高能量在短时间内加热和熔化表面区域,从而形成一些异常的亚稳表面;离子注入或离子束混合技术把原子直接引进表面层中。 具体有： 金属蒸汽真空弧离子源离子注入、 离子束增强/辅助沉积、 等离子源离子注入 激光表面合金化 激