单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜对电池短波响应的影响研究.pdfVIP

·88· 中国太阳能光伏进展 单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜 对电池短波响应的影响 李华维张辉‘黄跃文季凯春张立波 夏明海孙励斌徐晓群 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司宁波315177 【摘要】 本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同 频率沉积的SiN。薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较，从理论上分析 了随着薄层电阻的增大和采用低频(40 响应得到提高的原因。光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动。 当薄层电阻和SiNx薄膜匹配最佳时，电池的光谱响应最好，其光谱响应峰值大 幅度向短波方向移动。， 【关键词】 薄层电阻短波响应SiNI薄膜 TheInfluenceOf SiliconSolarCell’SSheetResistanceAnd Monocrystalline FilmInSolarCell’SShort Sinx WavelengthResponse LiHuawei Hui YuewenJiKaichun LiboXia ZhangHuang Zhang Minghai SunLibinXu Xiaoqun ShanshanUlicaSolar 315177 Ningbo ScienceTechnologyCo．。Ltd．，Ningbo ● ．0引言 为了提高太阳电池对太阳光各波段的吸收，太阳能工作者一直致力于提高太阳电池的光 谱响应。其中提高短波响应的方法主要有扩散浅结【1ql、在电池片光照面制减反射膜【4’51。扩 散浅结可以减少。死层”的影响，增加光生载流子的收集率，提高短波响应。SiM薄膜介电 常数高(8F·m一)、碱离子的阻挡能力强、耐磨且疏水性好、减反射效果好，而且有很好‘ 的表面和体钝化作用，可使硅表面复合减少，从而有效的提高电池顶层的短波响应。提高长 波响应的方法主要制作背场电’池I瞄】，高低结减少了表面复合损失，在铝深扩散尾部的吸杂作 用有助于增加体少子寿命，高温处理形成的金属间相有利于光的囚禁，从而增强了光谱近红 外区的响应[61。 本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和在同样薄层电阻的衬底上 晶体硅太阳电池及材料．89． 采用不同频率PECVD沉积SiN。薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较，得出随着薄层 电阻的增大，短波响应的变化趋势是有所提高，光谱响应的峰值向短波方向移动。而在其他沉 积条件相同的情况下，PECVD使用低频(40kHz)比使用射频(13．56 MHz)生长的SiN；薄膜 的太阳电池的短波响应要好。‘这与Ajay 的电池片，并不是薄层电阻最大的电池片，而是薄层电阻和siNx薄膜匹配最佳的电池片。 验 用稀氢氟酸除去磷硅玻璃后，用四探针测试仪测试薄层电阻。每块扩散片从一边到对边分五 D．／o、35D．／o、40D／n、46D．／o、50D．／o、54D,／o、58D．／o、 点测试，取平均值。分别制备出33 硅烷气体比例一定的情况下，薄层电阻为33纠口、40剑口、50D．／o的扩散片用射频(1