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化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．359．
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●r
性能的影响卜
曾广根李愿杰唐。茜夏庚培黎兵
张静全蔡亚平蔡伟．冯良桓郑家贵
四川大学太阳能材料与器件研究所四川成都610064
【摘要】 利用近空间升华法在心+02气氛下沉积了CdTc多晶薄膜，并在气相cd℃12氛
围下进行了不同温度的后处理，对样品进行了厚度、XRD、SEM、o·T等性能
测试，结果表明：退火后CdTc多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向，退火
能使晶界钝化，增加再结晶并促进晶粒长大；退火后，暗电导(ad。t)增加，
电导激活能(E。)减少。
’
【关键词】 CdTc多晶薄膜退火太阳电池
Influenceof Treatmentonthe ofCdTe
CdClz
Vapor Properties
ThinFilms．
ZENG LI TANGQianXlA PANG LI
Guang··genYuan-jie Geng--peiXin··jianBing
ZHANG CAI CAIWeiFENG ZHENG
Jing-quanYa-ping Liang—huan Jia-gui
TheSolar MaterialsandDevices
Energy Institute，Sichuan
0引言
’目前碲化镉电池的转换效率已经达到16．5％llJ，但和理论效率相比还有一定的差距，因
此有必要对碲化镉电池的结构性能进行深入研究。制备高效率CdSICdTc多晶薄膜电池的关
键之一就是获得高质量的碲化镉多晶薄膜，其性能对太阳电池的性能有决定性的作用。
从而提高器件的性能，这种方法已被许多研究小组采用【2】。但是也存在不同的CdCl2退火方
的退火可以一步进行，所以该法能减少工艺时间，它具有可重复使用，方便控制，避免浪费。
CdCl2气相升华方式退火，并对退火后样品进行了相关测试。
·360·中国太阳能光伏进展
1试验
1．1 样品制备
CdTe多晶薄膜用我们自制的近空间升华设备沉积，其装置如图1所示。源和衬底的距离
为2～5mm，沉积室充氩氧混合气，工作气压1～4
gm。衬底
为载玻片。
图1 近空间升华法设备示意
1．2退火
．一
退火炉俺囝 一 热羁
图2退火设备示意图
表1样品退火条件
Samples 1 2 3 4 5
Temperature／。C 340 400 440 400
Time／min 30 30 30 30
Atmosphere N2／02=4／1 纯氧
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