IC器件在HBM+ESD脉冲电压下的介质击穿实验研讨.pdf

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2018-01-15 发布于广东
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第25卷增刊北京理工大学学报V乩25 Suppl． 2005年9月Transactions Institute 2005 ofBeijingofTechnology Sep 文章编号：1001-0645(2005)增刊．038．03 IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究孙可平，苗凤娟 35) (L海海事大学电磁兼容与静电研究室，上海2001 摘要：在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上，讨论r人体带电放电模型(HBMESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿．发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感，当厚度由 0．010 lam减少至0．003 C／cm2减少至O．002 lam时，俘获空穴密度临界值由0．100 C／cm2．相应地，IC器件抗ESD 的性能也急剧下降．关键词：静电放电；HBM模型；介质击穿中图分类号：0482．4 文献标识号：A on Experimental SiliconDioxideFilmBreakdownof Investigation ICDevice UnderESD in PulseHBM SUN MIAO Ke—ping， Feng-juan and SectionofEMC 13 (Research Maritime 2005，China) Electrostatics．ShanghaiUniversity,Shanghai dielectricbreakdownofsilicon hasbeen dioxidefilm discussedwhenESD pulse Abstract。：The voltage inhumanmodelis tothefilminthis isfoundthat valuesof body applied paper．It thecritical capture hole with film much the thickness．Whenthethicknessdecreasesfrom density sensitively