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浦东中学高二劳技基础型课程校本化附件 一、电子技术基础（常规元件）： ㈠、电子 1、第一代电子器件——电子管 能在真空中对电子流进行控制，并应用于通信和无线电，从而开了电子技术之先河 1906年，德福雷斯特（真空三极管：三条腿的魔术师）等发明，可实现整流、稳压、检波、放大、振荡等多种功能电路。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机“埃尼阿克”用1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电150kW。 2、第二代电子器件——晶体管（半导体三极管） 1948年，贝尔实验室肖克利等发明，在体积、重量等方面性能优于电子管，引发了电子技术的一场革命（获1956年诺贝尔物理奖）。 发明了半导体晶体管后；计算机体积大幅度减小；但是，由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。 3、第三代电子器件——集成电路(IC) 1958年，半导体表面技术的发展可将管子、元件和线路集成封装在一起，三年后，集成电路实现了商品化。 IC按集成度分: (1)小规模IC（SSI）＜102 (2)中规模IC （MSI）＜103 (3)大规模IC （LSI）＜105 (4)超大规模IC (VLSI)＞105（微电子时代） CPU： 8086 几十万个晶体管 80286 80386 几百万个晶体管 奔腾 900万个 奔腾2 1500万个 奔腾3 2800万个 奔腾4 4200万个 2.2GHz 5500万个 2007年 20亿个 ㈡ 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 金 银 无色 2、电容 电容器计量单位 单位：法拉 F 1 F =106 μF 1μF =106 p F 3、电感 电感器计量单位 单位：亨 H 1H = 103 m H 1mH = 103 μH 二、晶体二极管和晶体三极管 ㈠、引入 1、半导体 导电性能介于导体和绝缘体之间的物体为半导体。 晶体管用的半导体是锗或硅，他们都是4价元素，并制成晶体。 ⑴、本征半导体 本征半导体就是完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在没有外界条件的影响下，半导体相当于绝缘体。 在特定条件下，如温度升高（热激发），束缚电子得到足够的能量而挣脱共价键的束缚成为自由电子，此时半导体导电。 ⑵、杂质半导体 在本征半导体中惨入微量的杂质，使半导体的导电性能发生改变，此时半导体叫杂质半导体 N型半导体 在4价的锗或硅中惨入5价元素杂质（如磷），这样形成的半导体叫电子半导体（N型半导体）。 P型半导体 在4价的锗或硅中惨入3价元素杂质（如硼），这样形成的半导体叫空穴半导体（P型半导体）。 2、PN结 P型半导体和N型半导体结合后（如下图所示），由于电子和空穴的浓度差使得他们移动扩散，在P区和N区交界面附近形成了一个空间电荷区，这就是PN结。 ㈡ 在电路中受外加电压控制共有两种工作状态：正向导通和反向截止。 ⑴、正向导通特性： 正向电压达到一定程度（硅二极管为0.6V,锗二极管为0.2V）， 二极管正向导通，正向电流增加很快，两引脚之间的电阻很小，相当于开关接通。 ⑵、反向截止特性： 给二极管加反向电压，则处于截止状态，二极管两引脚之间的电阻很大，反向电流很小，相当于开关断开。 当反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本保持不变，所以通常把反向电流又称为反向饱和电流，但反向电流会随温度的升高而增长很快。 硅二极管的反向电流只有锗二极管的几十分之一或几百分之一，所以硅管的温度稳定性比锗管好。 ⑶、二极管反向击穿： 当给二极管所加的反向电压增大到一定数值时，反向电流迅速增大，这种现象称为反向击穿，二极管失去单向导电性，发生击穿时的反向电压叫反向击穿电压。此时如果没有适当的限流措施，会因电流过大使二极管过热而烧毁。因此二极管工作时，承受的反向电压应小于其反向击穿电压的一半。 ⑷、二极管在数字电路中的作用 二极管在数字电路中表现为是一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在导通与截止状态之间转换。 ２、二极管的种类 ⑴、按材料分：可分为硅二极管和锗二极管。 ⑵、按用途分： 整流二极管 稳压二极管 变容二极管 光电二极管 发光二极管 等 ㈢由两组PN结按不同的结构制成的叫晶体三极管（结构如右图）。 1、三极