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第35卷，增刊 红外与激光工程 2006年10月
V01．35 InfraredandLaser Oct．2006
Supplement Engineering
Hg在As激活退火中的作用
吴俊，魏青竹，巫艳，陈路，于梅芳，乔怡敏，何力
(中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心，上海200083)
摘要：对原位As4掺杂MBEHgCdTe材料退火前后的电学性质进行了研究．原生样品以及N型退火样品
种N型深能级结构。不同Hg分压下的激活退火结果显示，高温汞压下退火可以获得P型／VlBE
HgCdTe材料。
但是，真空退火结果显示As很难被激活。说明在激活退火过程中As在各个格点之间转移时，外界的Hg起
重要作用．
关键词：砷掺杂； 退火； 碲镉汞； 分子束外延
中图分类号：TP212．14文献标识码：A
Effectof in
arsenicactivation
mercury
WU Li
Jun，WEI Yah，CHENLu，YU Yi—min，HE
Qing-zhu，WU Mei-fang，QIAO
flbsearchCenterforAdvancedMatcriaIs
andDevicesShanghailnstituteofTechnicalPhysics，CASShanghai200083。China)
Abstract：Theoftheelectrical ofthearsenic andannealedMBE is
study properties dopedas-grown HgCdTe
of
resultsthe and annealed showthatadditionalis
samples
presented．The as-grown N—type samples vHgproduced
andtherearesomedonorswhichhave level arsenic into resultsof
deeperenergyduring dopingHgCdTe．The
annealed underdifferent showthat MBE couldbeobtained
samples mercurypressures P-type HgCdTe bydoping
withthe sourceand With resultof to
As4 vacuum-annealsshowarsenicishard
annealinghightemperature．But
inthis all
activatedas condition．Itshowsthattheambient rol
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