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2005年12月 第十三届全国电子束·寓子束·光子束学术年套 湖南·长沙
溅射Ni—Cr薄膜电阻的研究
王峰1陈桂梅1张丽1张丽娟2袁凯1
l东北微电子研究所沈阳陵园街20号110032
2沈阳工业大学电子科学与技术教研室 110023
摘要:可编程的只读存取器(PROM)作为一次性写入存储器,由于其内容不可擦出,稳定性好。被
广泛应用于高可靠性领域。而熔丝型PROM是只读存储器的一种,它是通过熔断熔丝来实现编程的,
因此镍铬熔丝的质量直接影响存储器的性能。本文通过试验的数据介绍采用磁控溅射制备Ni—Cr薄
膜的方法,并通过光刻墒蚀等试验,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的Ni—Cr薄膜。
关键词:可编程的只读存取器(PROM),磁控溅射,Ni—cr薄膜
引言
对于可编程的只读存储器PROM来说,由于它具有读取速度快,功耗低,应用温度范围广,抗辐射
能力强等特点,被广泛应用于国内外的宇航、军事等高可靠领域。从它的存储单元的结构可分为熔丝
型和反熔丝两种,熔丝PROM一般采用镍铬合金丝(Ni—Cr),其编程原理:在程序写人前存储单元的内
容为“0”,通过施加一个电压脉冲.使镍铬熔丝熔断,存储单元的内容被写成“1”。因此对于镍铬熔丝的
溅射及阻值的大小就显得尤为的重要。它的质量直接影响电路的性能。这种薄膜的溅射一般采用真空
蒸发,电子束蒸发,直流或射频溅射,磁控溅射等方法。镍铬熔丝合金材料,最好采用磁控溅射以保证
淀积前后的组份不变。下面主要介绍采用磁控溅射溅射Ni-Cr薄膜的方法,并通过试验条件的摸索以
及在光刻、腐蚀等工艺上出现的问题进行了讨论。
1薄膜的制备豆工艺
工艺进行加工,为降低功耗和提高读取速度,一般采用的是CMOS工艺。为避免造成成本太高,所选用
的薄膜电阻材料与工艺必须与集成电路制造工艺具有兼容性。集成电路中的薄膜电阻是淀积在硅片
表面SiO:层或其它绝缘层上.所采用的表面电阻必须能不受这些钝化膜影响而导致性能改变,而且所
采用的薄膜电阻材料应该与光刻工艺相容的。如图1所示;
图l薄膜电阻的剖面工艺结构以及平面示意图
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2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙
薄膜电阻的大小不仅与薄膜的厚度有关,还与设计的宽长比有关.因此设计电阻的宽长比也是很
关键的尺寸,这需与电路本身的要求及相应的工艺条件相符合;同时为便于编程,提高熔丝的可靠性
进行了模型设计。在模型中,我们把精力集中在熔丝的设计和电流如何通过熔丝的设计上。通过模型
的分析,揭开了电流流入熔丝这一重要方面的的机理,大部分电流通过靠近熔丝颈部的金属边缘流
入,与铝链接的镍铬电阻的其余部分从电流角度讲是没有电流流过。设计时尽量使铝包住熔丝方块部
分,以便熔丝熔断在脖颈上。
2工艺流程
本实验所采用的主要设备是美国Varlan3180磁控溅射台,所采用的靶材是进口的镍铬合金靶,镍
铬合金靶的成分是镍80%,铬20%。工艺流程如下:
为了与CMOS工艺兼容,在做溅射前热生长一层SiO:一退火一清洗一溅射Ni-Cr膜一
光刻一腐蚀一去胶一清洗一溅射Al一光刻一腐蚀一去胶一清洗一钝化一光刻
一腐蚀一去胶一退火一测试。
3实验条件、实验结果及讨论
为了便于进行对照比较和找到溅射Ni-Cr薄膜的最佳条件,采用两种溅射方法:低压电源和高压
电源。两种试验的结果见图2和图3所示。
从方阻定义Rs=p/t(p一薄膜材料的电阻率。t一薄膜的厚度),图3和图4的曲线的形状及走向与
定义基本符合。从图4中可见,Ni-Cr薄膜的厚度范围较宽,可以是十几纳米,也可以是一百纳米左右,
薄膜的方阻较小,大约在几个一50D,/em左右;从图3中可得出,Ni—Cr薄膜的厚度较薄,大约在
方阻之间差距较大。
因此通过试验可以得出:在低压电源试验中,薄膜的厚度控制较难,重复性较差,很难控制;而在
高压电源的试验中.薄膜厚度的控制相对较容易,厚度的重复性较好,片面的均匀性较好,因此我们主
要采用在高压电源下进行Ni—Cr薄膜的研究。
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