溅射法生长ZnMnO薄膜的结构和光学性质研究.pdf

——丝笙丝塑 2006年增刊(37)卷 溅射法生长ZnMnO薄膜的结构和光学性质” 吴小惠，王卿璞 00) (山东大学物理与微电子学院，山东济南2501 摘要： 用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底土制备 组成的。村底用标准的半导体清洗方法清洗。溅射靶 出了ZnMnO多晶薄膜。用分光光度计和x射线衍射 材是Mn原子摩尔比为5％的陶瓷靶。实验中采用氩 仪分别研究了薄膜的结构和光学特性以厦退火对他们 气(5N)作为溅射气体。衬底和靶间距离5cm。 的影响。结果表明：ZnMnO多晶薄膜具有(0002)高制备薄膜时真空室的本底真空度为6．7×lo。Pa， 度择优取向，退火后明显改善了薄膜的结晶质量。在 薄膜生长温度为80℃，溅射时氩气压强保持为1Pa，溅 室温下观察到了薄膜的紫光(398nm)和绿光发射 射功率为140W，石英玻璃为衬底，溅射时间为30rain，然 (490nm)。退火后，绿光发射峰强度减弱。 后将所得薄膜样品的一部分在空气中经过500℃退火。 关键词：ZnMnO薄膜；射频磁控溅射；光致发光；绿用MSAI。XD3型x射线衍射仪测定样品的结构特性， 光发射 中圈分类号：TN304．2；TN305，9文献标识码：A 可见分光光度计测量样品的室湿透射谱。用Model 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0306—02 2010型棱镜耦合仪来测量薄膜的厚度及折射率，其He- Ne激光器的激发波长为633nm。光致发光谱由英国产 1 引 言 FL9920稳态荧光光谱测试系统测得，用xe灯作为激发 近20年来，稀磁半导体(DMS)由于在自旋应用上光源，激发光波长为299nm。 的广阔前景引起了人们极大的兴趣。形成DMs材料 3结果与讨论 的方法一般是用3d过渡金属离子取代化合物半导体 中的部分阳离子，以期获得磁性。u一Ⅵ族直接带隙 3．1结构性质 半导体材料znO有3。37eV的带隙和室温下60MeV图l给出了所制备的ZnMnO薄膜样品遇火前后的 的激子束缚能，展现出在蓝光及紫外光发光二极管、激 x射线衍射谱。退火前后样品均只有一个强的(002)衍 光器和光探测器上的重要应用价值，另～方面由于具 射峰，峰位角为34．33。，其半高宽(FWHM)分别为：0． 有较大的电子有效质量(0．318 m。)和g因子(在块材 沿(0002)方向择优生长的，具有六角纤锌矿结构，薄膜 料中g一2)Ⅲ使ZnO具备了探索电子旋转方面的条 不存在其它相；样品退火后，(002)峰明显变强t峰的半 件。2000年，Dietl用平均场理论预言了ZnO掺Mn 在室温下具有铁磁性口]，人们对此产生了浓厚的兴趣， ^^、 一旦成功，将会增加半导体材料使用的维度(电荷和自 旋)，它可应用于自旋场效应晶体管(Spin—FET)、自旋 pc05V 发光二极管(Spin—LED)等器件。它们的特点是速度 更快，体积更小，功耗更低，稳定性更好。掺杂Mn会 射峰的峰位角略小于纯ZnO薄膜的峰位角，主要是由于 使ZnO的带隙变大，可以利用来作ZnMnO基的异质 结，EdabJr