溅射镀膜-10-2012.ppt

溅射镀膜的类型——二级直流溅射 控制参数：功率、电压、压力、电极间距等。 溅射参数不易独立控制，放电电流随电压和气压变化，工艺重复性差； 真空系统多采用扩散泵，残留气体对膜层污染较严重，纯度较差； 基片温度升高，淀积速率低； 靶材必须是良导体。 缺点 特点：结构简单，可以获得大面积均匀薄膜。 溅射镀膜的类型——三极或四极溅射 ★ 三极或四极溅射 等离子区由热阴极和一个与靶无关的阳极来维持，而靶偏压是独立的。大大降低靶偏压。 负电位 溅射镀膜的类型——三极或四极溅射 1. 靶电流和靶电压可独立调节，克服了二极溅射的缺点 2. 靶电压低（几百伏），溅射损伤小； 3. 溅射过程不依赖二次电子，由热阴极发射电流控制，提高了溅射参数的可控性和工艺重复性； 缺点：不能抑制电子轰击对基片的影响（温度升高）；灯丝污染问题；不适合反应溅射等。 特点： 溅射镀膜的类型——射频溅射 ★ 射频溅射 溅射镀膜的类型——射频溅射 1. 电子与工作气体分子碰撞电离几率非常大，击穿电压和放电电压显著降低，比直流溅射小一个数量级； 2. 能淀积包括导体、半导体、绝缘体在内的几乎所有材料； 3. 溅射过程不需要次级电子来维持放电。 缺点： 当离子能量高时，次级电子数量增大，有可能成为高能电子轰击基片，导致发热，影响薄膜质量。 特点： 溅射镀膜的类型——磁控溅射 ★ 磁控溅射 磁控溅射是70年代发展起来的一种高速溅射技术。 磁控溅射可以使淀积速率提高。气体电离从0.3-0.5%提高到5-6%。 溅射镀膜的类型——磁控溅射 磁控溅射工作原理 磁控溅射技术中使用了磁控靶。 磁控靶 溅射镀膜的类型——磁控溅射 在阴极靶的表面上形成一个正交的电磁场。 溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速成为高能电子，但是它并不直接飞向阳极，而在电场和磁场的作用下作摆线运动。 高能电子束缚在阴极表面与工作气体分子发生碰撞，传递能量，并成为低能电子。 溅射镀膜的类型——磁控溅射 特点： 在阴极靶的表面形成一个正交的电磁场； 电离效率高（电子一般经过大约上百米的飞行才能到达阳极，碰撞频率约为10-7 s-1 ）； 可以在低真空（10-1Pa，溅射电压数百伏，靶流可达到几十毫安/m2）实现高速溅射； 低温、高速。 溅射镀膜的类型——反应溅射 ★ 反应溅射 一般描述 与反应蒸发相类似，在溅射过程中引入反应气体，就可以控制生成薄膜的组成和特性，称为“反应溅射”。 溅射淀积高纯介质薄膜和各种化合物薄膜，必须先有高纯靶。 高纯的氧化物、氮化物、碳化物、或其它化合物粉末并不难得，但是，加工成靶确是很难的。 溅射镀膜的类型——反应溅射 粒子的按能量分布： 反应速度常数： 目前，对于反应溅射成膜过程及机理的研究还不十分深入。通常靶反应溅射过程分为三个部分：靶面反应、气相反应、基片反应。 反应动力学过程 反应物之间发生化学反应的必要条件：反应物分子必须有足够能量以克服分子间的势垒 。 和 为正逆反应过程的活化能； 反应活化能为： 溅射镀膜的类型——反应溅射 （1）靶面反应:靶面金属与反应气体之间的反应，结果影响淀积薄膜的质量和成分。关键是防止在靶面上形成稳定化合物（如铝靶）。 （2）气相反应:逸出靶面的原子在到达基片之前与反应气体发生反应形成化合物。 （3）基片反应: 溅射原子在基片表面形成所需要的化合物。 基本要求是: 到达基片的金属原子与反应气体分子之间维持一定的比例； 保持适当的基片温度。 溅射镀膜的类型——反应溅射 溅射镀膜的类型——离子束溅射镀膜 ★ 离子束溅射镀膜 以上各种溅射方法都是利用辉光放电产生的离子进行溅射，基片置于等离子体中。存在如下问题： 基片受电子轰击； 溅射条件下，气体压力、放电电流等参数不能独立控制； 工艺重复性差。 离子束溅射法：用离子源发出离子。经引出、加速、聚焦，使其成为束状，用此离子束轰击置于高真空室中的靶，将溅射出的原子进行镀膜。 溅射镀膜的类型——离子束溅射镀膜 离子束溅射的种类 （1）一次离子束淀积（低能离子束淀积） 离子束由薄膜材料的离子组成，离子能量较低，到达基片后就淀积成膜。 （2）二次离子束淀积（离子束溅射） 离子束由惰性气体或反应气体的离子组成，离子能量高，它们打到由薄膜材料构成的靶上，引起靶原子溅射，并在衬底上形成薄膜。 溅射镀膜的类型——离子束溅射镀膜 离子束溅射的原理 溅射镀膜的类型——