机械化学抛光过程单分子层材料吸附去除机理分析及建模研究.pdfVIP

下载本文档

3
0
约2.97万字
约 8页
2018-01-17 发布于广东
举报
版权申诉

机械化学抛光过程单分子层材料吸附去除机理分析及建模研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

VoL38 第38卷增刊哈尔滨工业大学学报 Sup． 2006年7月 2006 OFHARBININS唧J．IEOFTECHNOLOGYJuly JOURNAL 蒋建忠1，赵永武2 (1．江南大学机械工程学院，无锡江苏214122，E—mail：jjzwxjn@163．tom； 2．江南大学机械工程学院，无锡江苏214122，E．mail：zhaoyw@sytu．edu．en) 摘要：根据分子动力学模拟单个磨粒切削芯片的研究结果，提出一种基于芯片表面氧化膜单分子层吸附去除的CMP模型．并基于这种机理，充分考虑了抛光盘的大变形和超弹性特点，应用微观接触力学理论建立一种新的表征机械化学抛光过程中材料去除速率的数学模型．模型中创造性地引入氧化剂浓度Co，从而使氧化剂浓度对CMP过程材料去除速率的影响规律可以定量化计算．该模型不但深入地反映了磨粒的机械作用和抛光液的化学作用对CMP抛光速率的影响，而且更加全面地考虑其他主要因素如芯片材料特性、抛光盘表面形貌参数和操作变量等对CMP过程的影响，对进一步深入研究CMP材料去除机理和更加准确地控制cMP过程具有一定的指导作用．关键词：机械化学抛光(CMP)；吸附；单分子层；纳米接触中图分类号：TGll5．5+8；0484．4文献标识码：A 文章编号：0367—6234(2006)增刊一0275—08 and ofmaterialremovalmechanismof molecular Analyzingmodeling single inchemicalmechanical layeradhering polishingprocess JIANG Jian．zhon91，ZHAOYong-Wll2 ofMechanical (1．School Engineering，SouthernYangtzeUniversity，Wuxi of 2．SchoolMechanical Engineering，SouthernYangtzeUniversity，Wuxi Abstract：Basedonourtheoreticalofthemolecular simulationof contactbetweena analysis dynamics sliding asmoothflat and surface et newdominantmechanismforthematerial singlemicro—particle a1．，a byChang removalinchemicalmechanical removalmechanismof molee- polishing(CMP)process，i．e．adheringsingle ular onwafer onthis newmathematicalmodel layer surface，isproposed．Basedmechanism，a characte