集成电路互连线寿命的工艺缺陷影响分析.pdfVIP

第29卷第2期 计 算 机 学 报 v01．29No．2 2006年2月 CHINESEJOURNALOFCOMPUTERS Feb．2006 集成电路互连线寿命的工艺缺陷影响分析 赵天绪。 段旭朝” 郝 跃2’ ”(宝鸡文理学院计算与信息研究所 宝鸡 721007) ”(西安电子科技大学微电子所西安710071) 摘 要在深亚微米和超深亚微米集成电路中，互连线失效是影响集成电路可靠性的主要因素之一．由于在集成 电路制造过程中存在着缺陷，缺陷的出现导致了集成电路可靠性的下降，尤其是出现在互连线上的丢失物缺陷加 剧了互连线的电迁移效应，因此电迁移失效依然是其主要的失效模式．文中讨论了电路的互连线的寿命模型，分析 了丢失物缺陷以及刻蚀工艺的扰动对互连线宽度的影响，提出了新的互连线寿命估计模型．该模型还考虑了线宽、 线长和缺陷峰值粒径等因素对导线寿命的影响．利用该模型可以估算出受丢失物缺陷以及刻蚀工艺扰动影响的互 连线的寿命变化情况，这对IC电路设计有一定的指导作用．文中还利用模拟实验证明了该模型的有效性． 关键词互连线寿命；电迁移；工艺扰动；缺陷 中图法分类号TP301 toInterconnectLifetimeAffected Analysis byIntegrated Circuit Defect Manufacturing ZHAOTian—Xu¨DUANXu—Cha01’HAOYue2’ and Artsand 721007) 1’(Computationlr,}formationInstitute，BaojiUniversityof Sciences，Ba巧i ”(MicroelectronicsInstitute，Xidian7an710071) University，Xi AbstractThefailureofinterconnectisoneofthemost factors IC importantaffectingreliability for and scale．SincethereexistdefectsinICmanufac- deep—sub—micronsuperdeep—sub—micron defects onthe makeIC’S a turingprocess，theoccurringchip reliabilitydecreasing．Whenmissing metaldefect on makes effectofinterconnectmoreseri— appearsinterconnect，itelectromigration isstilla failuremechanismof effect interconnect．In OUS．Therefore，electromigrationdominating this lifetimemodel interconnectis