磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索.pdf

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39卷第2期人工晶体学报 v。1．39No．2 2010年4月 JOURNALoFsYNTHETICCRYsTALS Ai)ril．2010 磷扩散法制备高掺磷P型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索丁瑞钦，曾庆光，陈毅湛，朱慧群，丁晓贵，齐德备 (五邑大学薄膜与纳米材料研究所，江门529020) 摘要：在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷P型ZnO薄膜的研究基础上，探索了较有普遍应用意义的扩散法制备P型ZnO薄膜的磁控溅射工艺。结果表明，当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时，所制备的ZnO薄膜为P型，而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的；另外，这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小，而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1，比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关。关键词：P型ZnO薄膜；磷扩散法；磁控溅射工艺中图分类号：0411 文献标识码：A of for Technics ExplorationMagnetronSputtering Preparing ZnOThinFilmsvia Diffusion High-phosphorous-dopedP-type Phosphorous DING De—bei Rui—qin，ZENGQing-guang，CHENYi-zhan，ZHUHui—qun，DING Xiao—gui，Qt of andNanometer ThinFilms (Institute Materials，WuyiUniversity，Jiangmen529020，China) 24 6 (ReceivedAugust2009，acceptedJanuary2010) Abstract·A technicsfor usein magnetron sputtering general preparinghigh·-phosphorous··dopedp-type ZnOthinfilmsvia diffusionfrom Sisubstratestothe ZnOfilmswas phosphorous n+一type deposited basedontheearlierstudies．The that investigated resultsshowtheZnOfilmsare and exploration p-type the the distributionsof atomsin filmsareall whenthe depth phosphorous