水辅助生长准一维氧化物纳米材料的研究进展.pdfVIP

黄在银等：水辅助生长准一维氧化物纳米材料的研究进展 水辅助生长准一维氧化物纳米材料的研究进展+ 黄在银1’2，柴春芳2 摘 要： 准一维纳米材料的研究是近十年来纳米材 元达到过饱和后，晶须将沿着固液界面一择优方向析 料研究领域的前沿和热点，吸引了物理、化学、材料、生 出，长成准一维纳米材料o]。材料的尺寸主要受大小 物扣信息等诸多领域的科研人员以及工业界的众多有 保持不变的金属催化剂小液滴控制。图1(a)示意地 识之士的强烈关注。本文论述了水辅助生长制备准一 说明了VLs生长机制制备准一维纳米材料的简单步 维氧化物纳米材料的原理，着重介绍了这一方法在准 一雏氧化物纳米材料的制备中的应用，并对其前景作 方法——VS机制的过程示意图。 了简要的展望。 关键词： 水辅助；准一维氧化物；纳米材料 中图分类号： TB34 文献标识码：A IT IⅡ 5)11—1655—04 文章编号：1001—973l(200 l 引 言 自从1991年日本NEc公司饭岛(Iijima)等发现——』———————!i——————』l 纳米碳管以来，准一维纳米材料立刻引起了许多领域 图1 VLs和Vs机制制备准一维纳米材料 科学家们的极大关注。准一维纳米材料是研究电子传 1 of FigSynthesisquasi—one-dimensi。nal als VLSandVSmechanism 输行为、光学特性和力学性能等物理性质的尺寸和维 by 度效应的理想系统。它们在介观领域和纳米器件研究 在vs过程中，首先是通过热蒸发、化学还原、气 方面有着重要的应用前景，可以用作扫描隧道显微镜 相反应产生气体，随后该气体被传输并沉积在基底上。 这种方式生长的晶体被解释为以气固界面上的微观缺 (sTM)的针尖、纳米器件和超大集成电路(uI。sIc)中 的连接、光导纤维、微电子学方面的微型钻头以及复合 陷(位错、孪晶等)为成核中心生长出准一维纳米材料。 材料的增强剂等。它们将在构筑纳米电子和光电子器 利用Vs生长机制制备纳米材料时，晶须的尺寸可由 过饱和度、形核的尺寸以及生长时问等来控制。 件等集成线路和功能性元件的进程中充当非常重要的 角色，因此目前准一维纳米材料(纳米管、纳米丝、纳米 在水辅助生长制备纳米氧化物过程中。不论是受 棒、纳米带、同轴纳米电缆等)是当前纳米材料科学领 VLs机制还是Vs机制控制其反应均可用以下通式 来表示： 域的前沿和热点“o]。 迄今为止，准一维氧化物纳米材料制备方法已相 zR十，H20——}R：O，+yH2 ab— 当丰富，而且日趋完善。主要有激光烧蚀法(1aser lation 所不同的是VI。s机制需要有金属催化剂的存在，而 method)、气相蒸发法(vapor—phaseevapora— Vs机制只需金属反应物及去离子水即可在一定的温 tion)、模板法(template_basedmethod)及溶剂热合成 法(solvothennal 度及一定的载气流速下反应得到所要