Flotherm在产品开发中应用.ppt

在阻尼和风扇之间建立一个与风扇HUB直径相同的圆柱。可见，流量仍比风扇本体加阻尼高出9.4%。 原因是，阻尼的面积仍然比风扇环形通道大，如图所示 阻尼实际通风面积 风扇环形通风面积 将风扇模型在原来12面模型的基础上，改为4面模型，如图所示，并在风扇本体上加50%的开孔率。 12面模型 4面模型 计算结果如图所示。与风扇本体加阻尼相比，发现改变风扇模型后，流量变化不大，在1%以内。 图2.15 4面风扇模型本体加50%孔隙率计算结果 图2.14 风扇本体添加栅格影响的计算结果 风扇采用4面模型，风扇前3mm处添加面阻尼，孔隙率为50%，计算结果如图2.16所示。若在阻尼和风扇HUB之间添加和HUB界面尺寸相同的正方体，则此时的面阻尼实际通风面积与风扇通风面积相同。计算结果如图2.17所示。 图2.16. 4面风扇前3mm处加面阻尼计算结果 图2.17. 4面风扇前3mm处加面阻尼，且HOB 和面阻尼之间加正方体的计算结果 对比图2.15和图2.16 发现，图2.16流量增大10%，是因为面阻尼实际通流面积增大所致。对比图2.15和图2.17发现，图2.17流量仅增大6%，应该是计算误差所致。 结论： 1. 风扇采用4面模型和12面模型对于总流量影响不大； 2. 在风扇进口紧贴风扇添加阻尼无效，即面阻尼不起作用； 3. 在风扇出口贴风扇加阻尼和风扇本体加阻尼效果相当； 4. 在风扇前一小段距离加面阻尼比风扇本体加阻尼所得流量偏大。 从操作的简单性和设计余量的角度考虑，推荐的建模方法是风扇本体加阻尼。 Flotherm在TEC产品仿真分析中的应用 吹风方式时风扇进口栅格模型的建立方法 一种新的功率模块热仿真模型的建立方法 问题描述 对于IGBT(绝缘门极晶体管)和SCR(晶闸管)等功率器件，以前在进行热仿真时，温度云图里的器件结温并不准确，而常常是需要再根据所得到的散热器表面温度和器件资料中所给的结-壳热阻值等来重新手工推算结温的数值。 典型功率器件的结构如图1所示（功率管的芯片和基板之间是两面敷铜的氧化铝陶瓷材料，即DCB）。 以前在对相关产品进行热仿真时，所建立的功率器件模型经过了一定程度的简化。主要是省掉了芯片与DCB、DCB与铜基板之间的两个焊料层；同时，把氧化铝陶瓷及其两面所敷的铜这三层简化为一个DBC实体，并根据经验给出一个基本等效的导热系数值。 铜基板 芯片 DCB 这样简化的原因主要是忽略很多厚度很小的薄层（如焊料层约0.08mm），以减少网格数量。在如此简化的情况下，功率器件的结温模拟得不太准确；但是，从仿真结果和测试数据的比较来看，散热器表面的温度一般还是比较准的。根据功率器件资料中的结-壳热阻和壳-散热器热阻把芯片的结温推算出来，根据结温评估热设计方案。 新的功率器件建模方法 去掉原来建模方法中的DCB层，铜基板继续用实体建模，而把芯片直接贴在铜基板的上表面，且分别把器件资料中的结-壳热阻和壳-散热器热阻通过面积折算后，加到铜基板的上下表面。 芯片 两面加上热阻的铜基板 举例说明 设某器件的每个SCR芯片结-壳热阻是0.17K/W，而芯片面积是18.2*18.2mm2。面积折算后的表面热阻值是0.17*18.2*18.2*10-6，即5.631*10-5K.m2/W。 添加热阻 1.若基板上只有一种芯片，这个热阻值可以统一附加在基板上表面 2.若基板上不止一种芯片，比如IGBT基板上就既有IGBT芯片，又有DIODE芯片，它们各自有不同的结-壳热阻，就必须把面积折算后不同的热阻值分别附加在两种芯片（与基板相接触的）下表面。壳-散热器热阻Rthcs的设置与此类似 热阻添加方法 由于铜基板的热阻已包括在上述的结-壳热阻中，其导热系数可以取一个很大的数值，比如设为5000W/(K.m)（铜的实际导热系数是385W/(K.m)）。 对比两种模型的仿真结果，发现散热器表面的温度变化不大，只有2度左右的差异，但新的建模方法存在以下优点： 芯片的结温可以在仿真结果的云图中体现，无须再做推算。 忽略不同器件的各种具体的内部结构，而只由芯片和基板两层组成，能减少计算所需的总的网格数，减少仿真的时间和所需的计算资源。 Flotherm在产品开发中的应用 艾默生网络能源 毕金成 蒋康涛 Flotherm在TEC产品仿真分析中的应用 吹风方式时风扇进口栅格模型的建立方法 一种新的功率模块热仿真模型的建立方法 Flotherm在TEC产品仿真分析中的应用 吹风方式时风扇进口栅格模型的建立方法 一种新的功率模块热仿真模型的建立方法 TEC，即热电制冷，具有结构简单、体积小、启动快、控制灵活等特点，因此应用日渐广泛。热电制冷