DS1302实时时钟芯片应用.docVIP

DS1302实时实钟芯片应用 DS1302概述 DS1302是DALLAS公司生产的绢流充电时钟芯片，内含有一个实时时钟/日历和31字节静态RAM，通过简单的串行接口与微控制器进行通信。具有秒、分、时、日、周、月、年信息。每月的天数和闰年的天数可自动调整。时钟和RAM的读/写可以以一个字节或多达31个字节的形式进行传输。DS1302工作时的功耗很低，保持数据和时钟信息时所需功率小于1mW。有主电源和备用电源。 （二） DS1302的主要性能 A. 实时时钟能计算到2099年 B. 31字节静态RAM C. 串口通信方式 D. 电压范围2~5.5V，2V时工作电流小于300nA E. 温度范围-40~+85℃ （三）引脚及功能 引脚号 名称 功能 1 Vcc2 主电源 2、3 X1、X2 外接32.768KHz晶振及电容 4 GND 接地 5 RST 复位及片选端 6 I/O 串行数据输入输出端（双向） 7 SCLK 串行时钟脉冲输入端 8 Vcc1 备用电源 （四）DS1302的命令字 每一次数据传送都由一字节命令字开始，其后紧跟一字节数据或多字节数据。命令字如下： 命令字 功能（读） 命令字 功能（写） 81H 读取秒钟寄存器内容 80H 向秒钟寄存器写入内容 83H 读取分钟寄存器内容 82H 向分钟寄存器写入内容 85H 读取时钟寄存器内容 84H 向时钟寄存器写入内容 87H 读取日寄存器内容 86H 向日寄存器写入内容 89H 读取月寄存器内容 88H 向月寄存器写入内容 8BH 读取星期寄存器内容 8AH 向星期寄存器写入内容 8DH 读取年寄存器内容 8CH 向年寄存器写入内容 8FH 读取写保护寄存器内容 8EH 向写保护寄存器写入内容 91H 读取慢充电寄存器内容 90H 向慢充电寄存器写入内容 BFH 读取时钟突发寄存器内容 BEH 向时钟突发寄存器写入内容 读写DS1302内部RAM命令字如下： 命令字 功能（读） 命令字 功能（写） C1H 读取RAM0寄存器内容 C0H 向RAM0寄存器写入内容 C3H 读取RAM1寄存器内容 C2H 向RAM1寄存器写入内容 C5H 读取RAM2寄存器内容 C4H 向RAM2寄存器写入内容 C7H 读取RAM3寄存器内容 C6H 向RAM3寄存器写入内容 C9H 读取RAM4寄存器内容 C8H 向RAM4寄存器写入内容 CBH 读取RAM5寄存器内容 CAH 向RAM5寄存器写入内容 CDH 读取RAM6寄存器内容 CCH 向RAM6寄存器写入内容 CFH 读取RAM7寄存器内容 CEH 向RAM7寄存器写入内容 …… …… …… …… FDH 读取RAM30寄存器内容 FCH 向RAM30寄存器写入内容 FFH 读取RAM突发寄存器内容 FEH 向RAM突发寄存器写入内容 （五）DS1302的数据传送 通过把/RST拉至高电平来启动数据传送，将/RST拉至低电平则可终止数据传送，I/O引脚变为高阻状态。数据输入时，在时钟的上升沿数据必须有效，而数据位在时钟的下降沿输出。上电时，在Vcc≥2.5V之前，/RST必须为逻辑0。此外，当把/RST拉至逻辑1时，SCLK必须为逻辑0。 跟随在写命令字节的8个SCLK周期之后，在下8个SCLK周期的上升沿输入数据字节，如果有额外的SCLK周期，它们将被忽略，数据从最低位（位0）开始传送。 跟随在读命令字节的8个时钟周期之后，在下8个时钟周期的下将沿输出数据字节。注意：被传送的第一个数据位发生在写命令字节的最后一位之后和第一个下将沿。只要/RST保持高电平，如果有额外的时钟周期，它们将重新发送数据字节，这一操作使之具有连续的多字节的读能力。另外，在时钟的每一个上升沿，I/O引脚为三态。数据从最低位开始是传送。 DS1302的多字节读写：对时钟/日历寄存器进行多字节读写时，其命令字节BFH为读，BEH为写；当对RAM进行多字节读写时，其命令字节FFH为读，FEH为写。 DS1302的时钟/日历寄存器如下： 寄存器名称 位7 6 5 4 3 2 1 位0 取值范围 秒钟 CH 十位值 个位值 00～59H 分钟 0 十位值 个位值 00～59H 时钟 12/24 0 10 A/P HOURS 个位值 00～12H 00～24H 日 0 0 十位值 个位值 01～28，29，30，31H 月 0 0 0 十位值 个位值 01～12H 星期 0 0 0 0 星期值 01～07H 年 十位值 个位值 01～99H 写保护 WP 0 0 0 0 00H 慢充电 TCS TCS TCS TCS DS DS RS RS