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引言 半导体三极管在电子电路中起着很重要的作用，因而应用很广泛。它可以分为双极型和单极型两种类型 * 成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心 2.3　晶体三极管 2.3.1 晶体管的结构及类型 2.3.2 晶体管的电流放大作用 2.3.3 晶体管的共射伏安特性 引　言 1、双极型半导体三极管通常简称为晶体三极管，也可简称为三极管、晶体管或BJT。它有空穴和自由电子两种载流子参与导电。故称之为双极型三极管。 2、单极型半导体三极管通常简称为场效应管，简称FET，它只有一种载流子（多数载流子）参与导电。故称之为单极型三极管。 2.3.1 晶体管的结构及类型 一、结构、符号和分类 N N+ P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P+ N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 2.3.2、晶体管的电流放大作用 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路 ui uo RB RC VBBV VCCV uo ui RC RE VBBV VCCV 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区扩散多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向漂移形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 三极管内载流子运动 4. 三极管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 穿透电流 近似 【例2.3.1】三极管各极电流的实测和数据分析 5.55 4.44 3.33 2.22 1.11 0.002 IE/mA 5.5 4.4 3.3 2.2 1.1 0.002 IC/mA 50 40 30 20 10 0 IB/μA 实验结果表明：基极电流较小的变化，将使集电极电流产生较大的变化，即以较小的基极电流变化控制了较大的集电极电流变化，从而实现电流的放大。 【例】已知某放大器中三极管电极电位分别为V1=3.5V， V2=2.8V，V3=12V，试确定B、E、C极，并判断是NPN型还是PNP型管，是硅管还是锗管。 解：V2V1V3 故 VB=V1=3.5V 放大工作时： NPN管 VC VB VE PNP 管VC VB VE 故中间电位为B极 VB-V2=0.7V ，故 VE=V2 ，VC=V3 ， 且为NPN型硅管 ?UBE ?=0.7V 或 0.2V ?UBE ?=0.7V 为硅管， ?UBE ?= 0.2V为锗管 vCE = 0V iB=f(uBE)? vCE=const (3) 当vCE≥1V时，集电区收集电子的能力已足够强，已能把基区的绝大多数电子拉到集电区，特性曲线基本重合。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 一、 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） (2) 当vCE0V时，随着vCE增大， 特性曲线右移。因为集电结开始吸引电子 基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 2.3.3 晶体三极管的伏安特性 (4) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 导通电压 VBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE≤0.3V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏。 iC=f(vCE)? iB=const