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基本共集放大电路 动态分析： 失真分析 截止失真 消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β 场效应管静态工作点的分析 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 s * 期中内容复习 第三章 二极管及其基本电路 PN 结特性：单向导电特性，反向击穿特性，电容特性，温度特性。 1.PN结 2.二极管的伏安特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 ①正向特性 ②反向特性 ③击穿特性 门坎电压（死区电压） 锗管：0.1V 硅管：0.5V 二极管等效方法： （1）理想模型 （2）恒压降模型 （3）折线模型 3.稳压二极管 1. 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变。 2. 主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 限流电阻 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 晶体管 第四章 三极管及其放大电路 放大模式下的电流传输方程： NPN 型管与 PNP 型管工作原理相似，但由于它们 形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流 方向相反，加在各极上的电压极性相反。 三极管外接电源的极性及类型和管脚判断： B C E NPN型 + - - + B C E PNP型 - - + + Si材料制成的管子，UBE结的导通压降一般设为0.5～0.8V（一般取0.7V)，可由导通电压判断其类型。 Ge材料制成的管子，UBE结的导通压降一般设为0.1～0.3V (一般取0.2V) 放大状态时： NPN型 PNP型 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB。 ≤ uBE（集电结正偏） 与iB不成比例关系 ≥ Uon（发射结正偏） 饱和 ≥ uBE（集电结反偏） βiB ≥ Uon（发射结正偏） 放大 VCC ICEO ＜Uon(发射结反偏） 截止 uCE iC uBE 状态 温度对晶体管特性的影响 三极管放大电路 三极管的小信号等效电路 共射放大电路 直流通路 如何提高电压放大能力？ 动态分析 RC RB1 vs + - RL + - vo RB2 RS 静态分析 直流通路 故称之为射极跟随器 共集电路特点：输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压；在一定条件下有电压跟随作用！ 其中 基本共基放大电路 静态分析 动态分析 共基电路特点： 输入电阻小，频带宽！只放大电压，不放大电流！ 小信号等效电路 消除方法：增大VBB，即Q点上移（增大IB)。 截止失真是在输入回路首先产生失真！ 减小Rb能消除截止失真 饱和失真 ：饱和失真是输出回路产生失真。 求最大不失真输出电压Uom ：比较(UCEQ-UCES)与（ VCC－ UCEQ ），取其小者，除以 。 Q点下移 饱和失真 底部失真 截止失真 顶部失真 消除失真的方法？ 以上波形均是对NPN管而言，如果换成PNP管会如何？ 多级放大电路： 组合放大电路总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。 前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻RL。 输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻。 输出电阻等于最后一级放大电路的输出电阻。 两只NPN型BJT组成的复合管 rbe＝rbe1＋(1＋?1)rbe2 NPN与PNP型BJT组成的复合管 rbe＝rbe1 复合管 放大电路频率响应： 三极管的高频小信号等效电路及参数计算 单级共射极放大电路的高频响应 最简等效电路： 增益-带宽积 1)选 rbb? 小、 Cb?c 小、fT 高的三极管 . 2)管子选定后,要提高 fH , Rs 尽量小（即输入信号源接近于恒压源）,以使R 减小。 提高fH时需要： 场效应管 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 第五章 场效应管及其放大电路 符号 夹断电压 漏极饱和电流 3)结型管 各类场效应管外加电压极性及数学模型总结 VDS 极性取决于沟道类型 N 沟道：uDS 0， P 沟道：uDS 0 VGS 极性取决于工作方式及沟道类型 增强型 MOS 管： uGS 与 uDS 极性相同。 耗尽型 MOS 管： uGS 取值任意。 饱和区数学模型： 结型场效应管： uGS 与 uDS 极性相反 MOS管 JFET管 其中 1. 基本共源放大电路 场效应管放大电路 由电源获得的负偏压 称为自给偏压 耗尽型MOS场效应管也能够采用