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纳米氧化物的气相合成、结构表征及发光性能的研究 摘 要 以碳纳米管为代表的一维纳米材料已成为纳米科技领域十分重要的研究课 题，在这些材料中，氧化物半导体一维纳米材料又受到了特殊的关注，这不仅 因为丰富多样的氧化物纳米结构不断被制备出来，更因为氧化物中阳离子价态 可变、氧空位浓度可调，从而氧化物半导体的性质可以有效调控。发展新合成 方法、拓展新体系、合成新结构、探索新性能是当今重要的研究热点。本论文 的主要内容是关于一维氧化物纳米材料的气相合成和光致发光性能的研究。具 体包括以下几个方面： 1．ITO衬底上Sn掺杂ZnO纳米线的制备及生长机制、光学性能研究 采用简单的热蒸发方法，用ITO片做衬底，在无催化剂的条件下，通过热蒸 制得产物的形貌、微观结构和光学性能进行了研究。研究表明纳米线为单晶纤 锌矿结构，直径一般在30．50nm，长度为几十到几百微米，生长方向为【001】。 在室温光致发光光谱中，我们观察到在400nm处的一个紫色发光峰和在495nm 处的一个绿色发光峰。这与纯ZnO的发光有所不同，可能是由于Sn的掺杂引起 的。值得强调的是产物中所掺杂的Sn来源于衬底而不是反应物。 2．SiO，纳米线的气相合成及其发光特性研究 在没有使用催化剂的条件下