全球纳米技术的发展现状PPT.pptVIP

纳米材料的发展历程以及各国纳米技术的发展现状;;纳米结构材料首次合成 1984年，德国萨尔大学的Gleiter教授等人首次采用惰性气体冷凝法制备了具有清洁表面的纳米金属粉末，然后在真空室中原位加压成纳米固体，并提出了纳米材料界面结构模型，制备了具有清洁表面的纳米晶体Pd, Fe, Cu等块状材料。随后发现TiO2纳米陶瓷在室温下出现良好韧性，使人们看到了改善陶瓷脆性的希望。;A 1990年，美国加州的IBM研究室D.M.Eigler等人利用STM在4K和超真空环境中，在Ni的表面上将35个氙原子排布成最小的IBM商标。这张放大了的照片登在《时代》周刊上，被称为当年最了不起的公司广告，轰动全球。从此开创了一个崭新的纳米世界。 每个字母高5nm。Xe原子间最短距离约为1nm。这种原子搬迁的方法就是使显微镜探针针尖对准选中的Xe原子、使针尖接近 Xe原子、使原子间作用力达到让Xe原子跟随针尖移动到指定位置而不脱离Ni的表面。用这种方法可以排列密集的Xe原子链。 ;在扫描隧道显微镜下，科学家将48个铁原子排列在铜表面上，形成一个圆形围栏。; 1991年元旦前夕，日本日立电子公司向公众展示了一个原子大小的新年祝词——“peace91”（和平91）。每个字母的高度均小于1.5纳米，它是把硫原子一个一个地从二硫化钼晶体上轰击出来写成的。美国商业机器公司的“IBM”是在-263℃下拼出的，而日立公司的祝词则是在室温下完成的。该成就表明，纳米技术从此步入了实用阶段。; 1994年，中国科学院化学所和中国科学院北京真空物理室利用STM在单晶硅表面上通过提走硅原子的方法，获得了（线宽2 nm）硅原子的“毛泽东”。在石墨表面刻出线宽10 nm的“中国”字符。汉字的大小只有几个纳米 白春礼院士 1988年4月12日， 中国第一台计算机 控制的STM研制成功。;纳米科技的发展大致可以划分为3个阶段： 第一阶段 (1990年以前)主要是在实验室探索 用各种手段制备各种材料的纳米颗粒粉体，合成块体(包括薄膜)，研究评估表征的方法。 第二阶段 (1994年前)人们关注的热点是根据奇特物理、化学和力学性能，设计纳米复合材料： 纳米微粒与纳米微粒复合(0-0复合)， 纳米微粒与常规块体复合(0-3复合)， 复合纳米薄膜(0-2复合)。 第三阶段 (从1994年到现在)纳米组装研究。 它的基本内涵是以纳米颗粒以及纳米丝、管为基本单元在一维、二维和三维空间组装排列成具有纳米结构的体系的研究。;二、 纳米科技的应用;纳米碳管;集成电路;激光唱片;上图：Millipede - 第一个应用于数据存储的纳米技术 下图：Millipede存储芯片的实验室原型。 ;英特尔将碳纳米管技术用于未来芯片设计 芯片厂商英特尔正指望用碳纳米管取代半导体芯片内部的铜连线。这种转变总有一天会消除芯片厂商面临的一些大问题。 芯片连线已经成为半导体厂商面临的一个头疼的问题。根据摩尔定律，芯片厂商每两年就要缩小一次半导体芯片内部的元件。然而，缩小连线会增加电阻，降低芯片的性能。 芯片厂商在90年代从把连线从铝线转变为铜线从而绕过了这个问题。遗憾的是，随着芯片尺寸的缩小，这个电阻问题将成为英特尔等芯片厂商遇到的大问题。碳纳米管导电性比金属要好，有可能成为替代金属连线的解决方案。;2008年2月1日 亚利桑那州立大学David K. Ferry提出利用纳米线连接电路建立三维堆砌芯片的构想，将大大提高计算机的运行速度。 ;利用纳米磁学中显著的巨磁电阻效应(giant magnetoresistance)和很大的隧道磁电阻(tunneling magnetoresistance)现象研制的读出磁头将磁盘记录密度提高30多倍。 1997年，明尼苏达大学电子工程系纳米结构实验室采用纳米平板印刷术成功地研制了纳米结构的磁盘，长度为40纳米的Co棒按周期性排列成的量子棒阵列。由于纳米磁性单元是彼此分离的，因而称为量子磁盘。它利用磁纳米线阵列的存储特性，存贮密度可达400Gb×in-2。 ;碳纳米管场发射显示器;1.汽车尾气;2.拯救水资源; 利用具有半导体特性的纳米氧化物粒子如Fe2O3、TiO2、ZnO等做成涂料，由于具有较高的导电特性，因而能起到静电屏蔽作用。 将纳米TiO2粉体按一定比例加入到化妆品中，则可以有效地遮蔽紫外线。一般认为，其体系中只需含纳米二氧化钛0.5~1%，即可充分屏蔽紫外线。 目前，日本等国已有部分纳米二氧化钛的化妆品问世。;3.走进你家里;二个月不用洗——信不信由你;纳米泵人造红细胞;纳米药包;纳米技术与基因疗法的结合 ;成功利用纳米SiO2微粒进行了细胞分离。 用金的纳米粒子进行定位病变治疗，以减少副作用。 科学家们设想利用纳米技术制造出分子机器