全国注册电气工程师考试半导体及二极管.ppt

2. 基本放大电路 晶体管工作在放大状态必须： ? 发射结为正向偏置 ? 集电结为反向偏置 共射极基本放大电路 共射极基本放大电路的简化及习惯画法 * 半导体及二极管 1. 半导体的导电特性 本征半导体 硅 锗 两种载流子： 空穴 自由电子 N 型半导体 P 型半导体 PN 结的形成 多数载流子的扩散运动 形成 PN 结 扩散运动与漂移运动 PN 结的单向导电性 结加正向电压 PN （导通） 结加反向电压 PN （截止） 2. 半导体二极管 二极管的 伏安特性 二极管的主要参数 （1）最大整流电流 IF （2）反向击穿电压 VBR （3）反向电流 IR 二极管基本电路及其分析方法 （1）二极管正向V-I特性的建模 理想化模型 恒压降模型 （2）模型分析法应用举例 1）静态工作情况分析 2）限幅电路 3）开关电路 4）低电压稳压电路 齐纳二极管 （稳压管） 简单的稳压电路 半导体三极管 及 放大电路基础 1. 半导体三极管（晶体管） NPN 型三极管结构及符号 PNP 型三极管结构及符号 晶体管中的载流子运动和电流分配 晶体管的电流方向、 发射结和集电结的极性 晶体管的输入特性曲线 晶体管的输出特性曲线 晶体管的主要参数 (1)电流放大系数 (2)集-基极反向电流 ICBO (3)集-射极反向电流 ICEO 集-基极反向电流 ICBO 集-射极反向电流 ICEO （穿透电流） (4)集电极最大允许电流 ICM (5)集电极最大允许耗散功率 PCM *